自從20世紀(jì)90年代以來(lái),In₂O₃作為新型敏感材料其氣敏性能得到了國(guó)內(nèi)外廣泛的研究。納米技術(shù)經(jīng)過(guò)近半個(gè)世紀(jì)的快速發(fā)展在醫(yī)療、衛(wèi)生、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、軍事、航天等各個(gè)領(lǐng)域中得到了極大的應(yīng)用。同樣,納米技術(shù)在傳感器方面的應(yīng)用對(duì)于傳感器的發(fā)展至關(guān)重要,采用不同的制備方法獲得具有大比表面積的各種形貌結(jié)構(gòu)已是氣敏傳感器發(fā)展的主要方向之一。In₂O₃在氣敏方面有著極大的研究潛力,具有靈敏度高、響應(yīng)和恢復(fù)快等優(yōu)點(diǎn)。本文分別采用化學(xué)氣相沉積法和真空蒸鍍技術(shù)在硅納米孔柱陣列（Si-NPA）上生長(zhǎng)了納米In₂O₃薄膜,得到了In₂O₃/Si-NPA復(fù)合體系。通過(guò)改變制備條件對(duì)In₂O₃/Si-NPA復(fù)合體系的形貌結(jié)構(gòu)進(jìn)行了調(diào)控。分別采用X射線衍射（XRD）和掃描電子顯微鏡（SEM）對(duì)通過(guò)兩種方法制備的In₂O₃/Si-NPA復(fù)合體系進(jìn)行了晶體結(jié)構(gòu)和形... 

【文章頁(yè)數(shù)】：61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 傳感器概述
    1.2 氣體傳感器
    1.3 金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器
    1.4 納米氧化銦及其應(yīng)用
        1.4.1 In_2O_3基本性能
        1.4.2 納米In_2O_3的應(yīng)用
        1.4.3 In_2O_3氣體傳感器
    1.5 硅納米孔柱陣列(Si-NPA)的制備及其氣體傳感器
        1.5.1 Si-NPA的制備
        1.5.2 基于Si-NPA的氣體傳感器
    1.6 本文選題依據(jù)與研究?jī)?nèi)容
2 化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備In_3O_2/Si-NPA及其表征
    2.1 納米In_3O_2的制備方法
    2.2 化學(xué)氣相沉積法制備納米In302
    2.3 納米In_3O_2的結(jié)構(gòu)與形貌表征
        2.3.1 生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)In_3O_2納米結(jié)構(gòu)表面形貌的影響
        2.3.2 生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)In_3O_2納米結(jié)構(gòu)XRD的影響
    2.4 小結(jié)
3 真空蒸鍍法制備In_3O_2/Si-NPA
    3.1 真空蒸鍍法
    3.2 真空蒸鍍法制備納米In_3O_2
    3.3 納米In_3O_2的結(jié)構(gòu)與形貌表征
        3.3.1 蒸鍍時(shí)間對(duì)In膜形貌的影響
        3.3.2 蒸鍍時(shí)間對(duì)In膜RXD的影響
        3.3.3 退火處理對(duì)不同蒸鍍時(shí)間所得In膜形貌結(jié)構(gòu)的影響
        3.3.4 退火溫度對(duì)In膜RXD的影響
    3.4 小結(jié)
4 In_3O_2/Si-NPA元件的氣敏性能測(cè)試及分析
    4.1 氣敏測(cè)試流程
    4.2 In_2O_3/Si-NPA的氣敏性能
        4.2.1 CVD法制備In_2O_3/Si-NPA的氣敏性能
        4.2.2 真空蒸鍍技術(shù)制備In_2O_3/Si-NPA的氣敏性能
    4.3 小結(jié)
5 結(jié)論與展望
參考文獻(xiàn)
碩士期間完成的論文
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]針狀I(lǐng)n2O3微納材料的制備、表征及其光催化性能研究[J]. 馮剛,陳彪,沈明,周慧.  化學(xué)研究與應(yīng)用. 2015(11)
[2]低溫生長(zhǎng)ITO薄膜及其在太陽(yáng)電池中的應(yīng)用[J]. 杜建,陳新亮,劉彩池,倪牮,侯國(guó)付,趙穎,張曉丹.  光電子.激光. 2014(02)
[3]Self-assembled SnO2 Colloidal Particles and Their Gas Sensing Performance to H2, C2H5OH and LPG[J]. 季紅軍,汪信.  Journal of Wuhan University of Technology（Materials Science Edition）. 2011(04)
[4]磁控濺射氣體參數(shù)對(duì)氧化銦薄膜特性的影響[J]. 才璽坤,原子健,朱夏明,張兵坡,邱東江,吳惠楨.  人工晶體學(xué)報(bào). 2011(01)
[5]三氧化二銦的制備及其光催化性能[J]. 韋軍,周菊英,李政林,林艷,古家虹.  電子元件與材料. 2009(04)
[6]納米WO3薄膜的制備方法及其研究現(xiàn)狀[J]. 韓海濤,尚福亮,楊海濤,高玲.  稀有金屬與硬質(zhì)合金. 2006(02)
[7]光致變色納米WO3薄膜研究進(jìn)展[J]. 尚福亮,楊海濤,韓海濤.  化工新型材料. 2006(05)
[8]直流磁控濺射陶瓷靶制備ITO薄膜及性能研究[J]. 夏冬林,楊晟,王樹林,趙修建.  人工晶體學(xué)報(bào). 2006(02)
[9]納米WO3薄膜的制備方法及其性質(zhì)研究[J]. 吳國(guó)友,張青龍,沈毅,李真.  中國(guó)鉬業(yè). 2005(04)



本文編號(hào)：3701249