采用高功率脈沖磁控濺射技術在PMMA基體上制備了ITO涂層。利用XRD、SEM對涂層進行了相結構的分析,并進行了劃痕實驗、光電性能測試。結果表明:偏壓、氫氬流量比等工藝參數(shù)對涂層的相結構、膜基結合力、光電性能均有影響。增大偏壓,膜基結合力將增強,偏壓達到240 V時,膜基結合力最好（56.5 N）。偏壓由0 V增加到160 V的過程中,涂層晶粒增大,透射率變高（由82.24%增至89.82%）,電阻率變低（由0.006571減至0.000543?·cm）。當氫氬流量比由0增至0.05,透射率變低（由89.82%減至56.12%）。氫氬流量比由0增至0.03,電阻率變低（由0.000 543減至0.000 212?·cm）;氫氬流量比由0.03增至0.05,電阻率變高由0.000 212增至0.000 373?·cm)。 

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 Experiment
2 Results and Discussion
    2.1 Phase structure of coating
    2.2 Bonding strength of coating
    2.3 Photoelectric properties of coating
        2.3.1 Transmittance
        2.3.2 Resistivity
3 Conclusions



本文編號：3701014