三階非線性光學是研究強光與物質之間互相作用而出現(xiàn)各種非線性效應的一門學科。隨著科技的進步,三階非線性材料在人們的生產(chǎn)生活中占據(jù)著越來越重要的地位。尋找良好性能的三階非線性光學材料對提高光限幅器、光開關、以及光儲存器的性能起著至關重要的作用。因此探索并研究出具備更高的非線性光學性能的材料,成為越來越多科研工作者追求的目標。由于半導體納米材料的粒子尺寸較小,因此它具有體材料所不具備的量子尺寸效應、表面效應等優(yōu)良的性能,同時它也比體材料在非線性光學領域有更大的應用潛能。石墨烯是由碳原子經(jīng)過sp2軌道雜化構成的晶體材料,它可以獨立存在于自然界中。石墨烯是一種非常薄的具有二維結構的材料,由于它具有特殊的電子雜化形式,使其具備穩(wěn)固的平面結構、較高的比表面積、優(yōu)異的電、熱、光等方面的性能,這使其成為與金屬硒化物半導體材料制備成復合材料的理想載體。金屬硒化物半導體粒子通過化學鍵裝飾在石墨烯納米片上組成復合材料,不僅能夠有效地解決納米粒子的易團聚問題,還可以增強材料的三階非線性光學性能。本文制備了硒化鎘（Cd Se）、硒化鋅（Zn Se）以及硒化鎘包裹硒化鋅（Zn Se/Cd Se）核殼結構半導體納米粒... 

【文章頁數(shù)】：87 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 非線性光學
        1.2.1 非線性光學簡介
        1.2.2 非線性光學材料
        1.2.3 非線性測量方法
        1.2.4 三階非線性光學
    1.3 石墨烯研究概況
    1.4 金屬硒化物半導體納米材料研究概況
        1.4.1 半導體納米材料簡介
        1.4.2 硒化物半導體材料概述
    1.5 Z-掃描技術
        1.5.1 Z-掃描技術原理
        1.5.2 Z-掃描技術理論計算
    1.6 本文主要選題依據(jù)與研究內容
    參考文獻
第二章 CdSe與石墨烯復合材料的三階非線性光學性質
    2.1 引言
    2.2 實驗部分
        2.2.1 實驗藥品與儀器
        2.2.2 測試與表征
        2.2.3 氧化石墨烯的制備
        2.2.4 CdSe納米單體的制備
        2.2.5 Cd Se/RGO納米復合材料的制備
    2.3 結果與討論
        2.3.1 Cd Se/RGO形成過程
        2.3.2 結構與形貌表征
        2.3.3 線性光學性能表征
    2.4 CdSe與石墨烯復合材料的Z-掃描測試結果分析
    2.5 本章小結
    參考文獻
第三章 ZnSe微米球與石墨烯復合材料的三階非線性光學性質
    3.1 引言
    3.2 實驗部分
        3.2.1 實驗藥品與儀器
        3.2.2 測試與表征
        3.2.3 ZnSe的制備
        3.2.4 Zn Se/RGO復合材料的制備
    3.3 結果與討論
        3.3.1 結構與形貌表征
        3.3.2 線性光學性能表征
    3.4 不同反應時間的ZnSe及其復合材料的的Z-掃描測試結果分析
    3.5 本章小結
    參考文獻
第四章 Zn Se/Cd Se納米粒子與石墨烯復合材料的非線性光學性質
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
        4.2.1 實驗藥品與儀器
        4.2.2 Zn Se/Cd Se與石墨烯復合材料的制備
    4.3 結果與討論
        4.3.1 結構與形貌表征
        4.3.2 線性光學性能分析
    4.4 不同濃度的復合材料的Z-掃描測試結果分析
    4.5 本章小結
    參考文獻
第五章 總結與展望
    5.1 總結
    5.2 展望
致謝
攻讀學位期間發(fā)表的學術論文



本文編號：3693471