采用晶體相場(chǎng)法模擬納米尺度下小角度非對(duì)稱傾斜晶界結(jié)構(gòu)和位錯(cuò)運(yùn)動(dòng),從外應(yīng)力作用下晶界位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)位置變化和晶體體系自由能變化角度,分析取向角對(duì)小角度非對(duì)稱傾斜晶界結(jié)構(gòu)和晶界位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的影響規(guī)律.研究表明,不同取向角下組成小角度非對(duì)稱傾斜晶界的位錯(cuò)對(duì)類型相同.隨取向角增大晶界位錯(cuò)對(duì)增加,且晶界更易形成n1n2型和n4n5型位錯(cuò)對(duì).外應(yīng)力作用下,不同取向角晶界位錯(cuò)對(duì)初始運(yùn)動(dòng)狀態(tài)均沿晶界進(jìn)行攀移運(yùn)動(dòng),隨體系能量積累,取向角越大出現(xiàn)晶界位錯(cuò)對(duì)分解的個(gè)數(shù)越多,且均為n1n2型和n4n5型位錯(cuò)對(duì)發(fā)生分解反應(yīng).不同取向角下小角度非對(duì)稱傾斜晶界體系自由能曲線都存在四個(gè)階段,分別對(duì)應(yīng)位錯(cuò)對(duì)攀移、位錯(cuò)對(duì)滑移及分解、位錯(cuò)對(duì)反應(yīng)抵消形成單晶和體系吸收能量自由能上升過(guò)程.進(jìn)一步對(duì)比發(fā)現(xiàn)隨取向角增大,晶界湮沒(méi)形成的單晶體系所需時(shí)間增加. 

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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