發(fā)布時(shí)間：2022-10-15 18:56

　　電子信息技術(shù)與集成技術(shù)的高速發(fā)展造成了電子元件與集成電路體積的急劇縮小。這使得電子設(shè)備的散熱問題日益嚴(yán)峻。在設(shè)備運(yùn)行時(shí),熱量會(huì)在狹小空間中迅速累積,大量的熱干擾了電子設(shè)備的正常運(yùn)行,甚至?xí)s短其使用壽命,造成不可逆轉(zhuǎn)的損壞。因此,制備高導(dǎo)熱、絕緣性能優(yōu)異的電子封裝及熱界面材料是近年來(lái)各國(guó)研究人員重點(diǎn)攻略的研究目標(biāo)。其中,導(dǎo)熱絕緣聚合物復(fù)合材料由于具有較低的密度,優(yōu)良的機(jī)械性能,良好的機(jī)械加工性能和出色的電絕緣性能而成為當(dāng)前新型熱管理材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本文利用熔體流動(dòng)剪切力驅(qū)動(dòng)填料取向,提出了一種制備聚合物復(fù)合材料的新方法。采用該方法制備了具有良好導(dǎo)熱性能和機(jī)械性能的六方氮化硼/聚乙烯（hBN/PE）各向異性復(fù)合材料。當(dāng)hBN進(jìn)行優(yōu)勢(shì)取向,且質(zhì)量分?jǐn)?shù)達(dá)到40 wt%時(shí),hBN/PE復(fù)合材料的導(dǎo)熱率達(dá)到了 2.39 W/（m.K）,相較于純PE提高了 780%,并且遠(yuǎn)高于相同填料含量下,hBN未進(jìn)行優(yōu)勢(shì)取向時(shí)復(fù)合材料的導(dǎo)熱率。并且在此填料含量和取向狀態(tài)下的hBN/PE復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度和彎曲模量分別為24.65 MPa和1904.10 MPa,壓縮屈服強(qiáng)度和壓縮模量分別為21.50 MP... 

【文章頁(yè)數(shù)】：86 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．３?ｈＢＮ／ＰＣ復(fù)合材料的制備工藝流程??Ｆｉｇ．?１．?３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃａｌｌｙ?ｓｈｏｗｓ?ｔｈｅ?ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ｈＢＮ／ＰＣ?ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ??

圖１．６冰模版法制備ｈＢＮ微米片垂直取向的ｈＢＮ／ＰＤＭＳ復(fù)合材料示意圖Ｗ??

圖２．１實(shí)驗(yàn)原料及試劑??Ｆｉｇ．?２．１?Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ?ｍａｔｅｒｉａｌｓ?ａｎｄ?ｒｅａｇｅｎｔｓ：?（ａ）?ｈＢＮ，?（ｂ）?ＣＦ，?（ｃ）?ＭＤＰＥ，?（ｄ）?ＧＦ，?（ｅ）??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]導(dǎo)熱絕緣硅橡膠復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及性能研究[D]. 薛楊.中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院過(guò)程工程研究所) 2019

碩士論文
[1]高導(dǎo)熱、絕緣型聚合物基復(fù)合材料的制備[D]. 閆榮.華僑大學(xué) 2017



本文編號(hào)：3691850