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溶液法制備CsPbBr 3 鈣鈦礦薄膜微觀結(jié)構(gòu)控制與發(fā)光特性

發(fā)布時間:2022-10-09 14:10
  近年來,金屬鹵化物鈣鈦礦以其光吸收系數(shù)高、色純度高、色域廣、發(fā)光波長連續(xù)可調(diào)、光致發(fā)光量子產(chǎn)率高、載流子擴散長度大和成分穩(wěn)定不易分解等優(yōu)點,成為光電子應(yīng)用領(lǐng)域極具潛力的新材料,其在太陽能電池、發(fā)光二極管、憶阻器、激光器、光電探測器和防偽標(biāo)簽等方面均有出色的表現(xiàn),并且可通過簡單的全溶液法制備,為印刷工藝的結(jié)合、大尺寸生產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)化提供了可能。實驗采用一步溶液法制備了原位生長的溴化鉛銫鈣鈦礦薄膜,其在(100)晶面有擇優(yōu)取向,且相應(yīng)的晶面間距小于PDF標(biāo)準(zhǔn)卡片值。通過增大前驅(qū)液的濃度,使樣品的形貌結(jié)構(gòu)產(chǎn)生差異,薄膜的連續(xù)性和致密性隨之提高,晶粒得到細(xì)化,在375 nm激發(fā)光下的光致發(fā)光(PL)強度得到約5倍的提升,且PL峰位藍(lán)移6 nm,同時該過程導(dǎo)致的晶格畸變使其PL光譜半高寬(FWHM)增大超過2 nm。 

【文章頁數(shù)】:7 頁

【文章目錄】:
1 引 言
2 實 驗
    2.1 材料及制備
    2.2 表征
3 結(jié)果與討論
    3.1 熒光顯微鏡照片
    3.2 光致發(fā)光光譜分析
    3.3 X射線衍射譜分析
4 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]合成及薄膜制備條件對CsPbBr3全無機鈣鈦礦量子點特性的影響[J]. 馬雪,莊仕偉,韓麗錦,胡大強,張源濤,董鑫,吳國光,張寶林.  發(fā)光學(xué)報. 2019(08)
[2]銫鉛鹵化物鈣鈦礦型平面異質(zhì)結(jié)LED的應(yīng)用與發(fā)展[J]. 章樓文,沈少立,李露穎,張智,劉逆霜,高義華.  無機材料學(xué)報. 2019(01)



本文編號:3688778

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