發(fā)布時間：2022-08-10 12:55

　　過渡金屬硫屬化物（transition metal dichalcogenide,TMDc）,作為二維材料中重要的一員,由于具有適中的禁帶寬度、高載流子遷移率、厚度薄等優(yōu)點從而在微納光電、電子器件方面具有重要的應用價值。目前,基于TMDc材料的場效應晶體管的載流子遷移率能夠達到10 cm~2·V^-1·s^-1以上,開關比能夠達到10~6以上;在光電探測應用方面,能對可見至近紅外光源實現高效探測。但是,目前TMDc材料在光電器件應用領域還存在以下兩個問題。第一、為實現TMDc材料光電、電子器件的廣泛應用,器件的時間響應速率、光增益等性能還有待進一步提高。第二、為實現TMDc材料光電、電子器件的集成化應用,需要研究高效率、大面積的TMDc材料制備方法。因此,本文為解決上述的兩個瓶頸問題,本論文主要開展了以下工作:第一、對于場效應晶體管器件而言,載流子遷移率是一個非常重要的性能指標。根據第一性原理的仿真結果表明HfSe₂在眾多TMDc材料中具有極高的載流子遷移率。本文研究了HfSe₂、MoS₂

【文章頁數】：64 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 二維材料的種類
    1.3 二維材料的制備
        1.3.1 微機械剝離法
        1.3.2 液相超聲剝離法
        1.3.3 化學氣相沉積法
    1.4 二維材料在光電、電子器件領域的應用研究
        1.4.1 單一二維材料光電、電子器件
        1.4.2 二維材料復合結構光電、電子器件
        1.4.3 本文主要研究內容
第二章 基于過渡金屬硫屬化物的場效應晶體管
    2.1 引言
    2.2 MoS_2、HfSe_2納米片制備
    2.3 MoS_2、HfSe_2納米片的表征
        2.3.1 光學顯微鏡
        2.3.2 原位拉曼光譜
    2.4 MoS_2、HfSe_2場效應晶體管的制備工藝
    2.5 MoS_2、HfSe_2場效應晶體管的測試
        2.5.1 I_d-V_(ds)特性
        2.5.2 V_g-I_d轉移特性
    2.6 本章小結
第三章 基于MoS_2-CdSe量子點復合結構的光電探測器
    3.1 引言
    3.2 制備工藝
    3.3 光電探測器的測試
        3.3.1 I_d-V_(ds)特性
        3.3.2 V_g-I_d轉移特性
        3.3.3 光電流與響應度
        3.3.4 時間響應特性
    3.4 機理分析
    3.5 本章小結
第四章 MoS_2的化學氣相沉積制備工藝研究
    4.1 引言
    4.2 化學氣相沉積法制備MoS_2
        4.2.1 實驗材料及設備
        4.2.2 實驗過程
    4.3 材料表征
        4.3.1 掃描電子顯微鏡表征
        4.3.2 EDS能譜表征
        4.3.3 拉曼光譜表征
    4.4 本章小結
第五章 總結與展望
    5.1 總結
    5.2 展望
致謝
參考文獻
作者簡介



本文編號：3673674