作為一種典型的近藤拓?fù)浣^緣體,近年來六硼化釤（SmB₆）材料受到了凝聚態(tài)物理和材料科學(xué)領(lǐng)域研究者的廣泛關(guān)注。與塊體材料相比,SmB₆納米材料由于具有更大的比表面積而擁有更為豐富的表面電子態(tài),因此被認(rèn)為是一個研究表面量子效應(yīng)和物理機制的理想平臺。由于場發(fā)射電流主要來源于納米材料的表面態(tài),所以研究SmB₆納米材料的場發(fā)射特性可以為研究其表面量子特性提供有益的參考。本研究利用化學(xué)氣相沉積法,通過控制實驗條件在硅襯底上分別實現(xiàn)了SmB₆納米帶和納米線薄膜的生長。研究結(jié)果表明:所制備的SmB₆納米線和納米帶分別為沿著[100]和[110]方向生長的立方單晶結(jié)構(gòu)。場發(fā)射特性的測試結(jié)果發(fā)現(xiàn):SmB₆納米帶薄膜的開啟電場為3.24 V/μm,最大電流密度達到了466.16μA/cm~2,其場發(fā)射性能要優(yōu)于納米線薄膜。同時考慮到SmB₆擁有很低的電子親和勢、高電導(dǎo)率和豐富的表面電子態(tài),所以若可以進一步提高其場發(fā)射特性,那么很可能在冷陰極電子源領(lǐng)域有潛在... 

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【文章目錄】：
1 實驗方法
    1.1 SmB6納米材料薄膜的CVD制備方法
    1.2 樣品結(jié)構(gòu)表征與場發(fā)射性能測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 SmB6形貌與結(jié)構(gòu)表征
3 結(jié)論



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