通過改變甲烷濃度、熱絲功率、熱絲絲距以及沉積時(shí)間等參數(shù),利用熱絲化學(xué)氣相沉積（HFCVD）工藝,在β-碳化硅（β-SiC）粉末上沉積了一層納米金剛石（ND）涂層,制備了ND@SiC復(fù)合粉末導(dǎo)熱填料,并利用掃描電子顯微鏡、拉曼光譜、透射電子顯微鏡以及熱重分析等,對(duì)所得填料進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,SiC粉末表面涂覆了一層納米金剛石涂層,形成了ND@SiC結(jié)構(gòu);當(dāng)沉積參數(shù)為甲烷濃度5%、熱絲功率4×1000 W、熱絲絲距8 mm,沉積時(shí)間2×3 h時(shí),制備的ND@SiC復(fù)合粉末具有理想的顯微結(jié)構(gòu),復(fù)合粉末中金剛石的含量占粉體總重量的9.31%。 

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 原材料
    1.2 碳化硅粉末的預(yù)處理以及涂層制備過程
    1.3 CVD金剛石的涂層制備工藝參數(shù)
    1.4 表征方法
2 結(jié)果及分析
    2.1 CH4/H2比對(duì)沉積結(jié)果的影響
    2.2 熱絲功率及絲距對(duì)沉積結(jié)果的影響
    2.3 生長時(shí)間對(duì)沉積結(jié)果的影響
    2.4 最佳沉積工藝樣品的表征
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]三維結(jié)構(gòu)鈦酸鋇陶瓷-樹脂材料制備與介電性能研究[J]. 張登,楊松,徐云,李想,王希林,賈志東,周和平.  陶瓷學(xué)報(bào). 2019(06)
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[3]納米復(fù)合材料制備技術(shù)及最新進(jìn)展[J]. 朱其永.  陶瓷學(xué)報(bào). 2005(01)
[4]人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)—遺傳算法優(yōu)化激光—等離子體化學(xué)氣相沉積Si3N4薄膜制備工藝[J]. 張勤儉,吳春麗,李敏,張勤河,秦勇,畢進(jìn)子,張建華.  陶瓷學(xué)報(bào). 2002(02)



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