本文采用熱蒸發(fā)法制備了沉積在硅片上的200nm氧化鉬（MoO₃）的太赫茲調(diào)制薄膜。在室溫條件下,通過傅里葉光譜儀和太赫茲時域光譜系統(tǒng)（THz-TDS）技術(shù),研究了MoO₃薄膜在不同激勵光功率下的太赫茲傳輸特性。提出了薄膜重要光學(xué)參數(shù)的提取模型,利用透射式太赫茲時域光譜技術(shù)測量了薄膜的時域信號,分別計算了太赫茲波在薄膜中的透過率及調(diào)制效率及薄膜的復(fù)介電常數(shù)變化。結(jié)果表明,在980nm激光器條件下,隨著激光器功率的提高,MoO₃薄膜的太赫茲調(diào)制深度逐漸增加。在激光功率為266mW時,在0.26THz處透過率達到最低為61%,調(diào)制效率（Modulation factor）達到最高為10%。通過分析MoO₃薄膜的復(fù)介電常數(shù)及載流子密度變化,得出了激發(fā)生成的載流子濃度的提高導(dǎo)致介電常數(shù)的改變,增強了薄膜的導(dǎo)電性,從而減低了太赫茲波在薄膜中的透過率的結(jié)論。為MoO₃薄膜應(yīng)用在太赫茲波段調(diào)制領(lǐng)域提供了實驗數(shù)據(jù)。 

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
    2.1 氧化鉬薄膜的太赫茲介電響應(yīng)模型
    2.2 方法
3 結(jié)果與討論
    3.1 太赫茲時域光譜
    3.2 太赫茲傳輸特性
4 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3647507