采用化學氣相沉積法,以Si O2/Si為襯底、鎳膜為催化層,研究不同催化層厚度對石墨烯生長的影響。選擇拉曼光譜,透射電子顯微鏡等手段對石墨烯的層數(shù)和質量進行表征。結果表明,隨著Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷減小,而且層數(shù)也減少,當Ni膜厚度為300 nm時,可以在Si O2/Si基板上獲得高質量的單層石墨烯。 

【文章來源】：材料熱處理學報. 2016,37(01)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
1 實驗材料及方法
2 結果與討論
3 結論



本文編號：3613278