發(fā)布時間：2022-01-20 14:56

　　隨著科技的發(fā)展,人們對未來器件的要求是尺寸更小、集成密度更高、耗能更低。納米器件代替微米器件將是器件發(fā)展的趨勢。一維納米半導(dǎo)體材料既可以作為器件元件,又可以作為連接器件元件的導(dǎo)線,因此被廣泛的用來構(gòu)筑納電子器件。在眾多的半導(dǎo)體材料中,一維ZnO納米材料不僅具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性、力學(xué)穩(wěn)定性、較大的比表面積,而且具有良好的光電特性和壓電特性,因而在環(huán)境檢測、電子器件和新能源領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。在構(gòu)筑器件時金屬電極與半導(dǎo)體材料的接觸是無法避免的問題。當(dāng)金屬與半導(dǎo)體材料形成肖特基接觸時,器件的性質(zhì)主要受肖特基勢壘的控制。對于塊體肖特基勢壘的研究已經(jīng)非常成熟,理論與實驗符合很好。但是用宏觀的勢壘模型對納米尺寸接觸面積的肖特基勢壘進(jìn)行解釋時,發(fā)現(xiàn)理論計算與實驗結(jié)果差別較大。這主要由于納米器件接觸面積較小,而傳統(tǒng)模型的假設(shè)是基于無限大平面。另外,肖特基勢壘還受接觸方式的影響,一維納米半導(dǎo)材料與電極的接觸方式有橫向接觸和軸向接觸兩種。由于工藝條件的限制,常見的一維納米器件的接觸方式為橫向接觸,即接觸面與納米帶/線的長軸方向平行。當(dāng)對橫向接觸的肖特基器件施加偏壓時載流子不僅沿著軸向輸運,還會有垂直軸向的... 

【文章來源】：河南大學(xué)河南省

【文章頁數(shù)】：76 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 一維ZnO納米材料簡介
        1.2.1 一維ZnO納米材料的特性
        1.2.2 一維ZnO納米材料的應(yīng)用
    1.3 金屬半導(dǎo)體接觸
        1.3.1 一維納米肖特基勢壘測量
        1.3.2 一維納米肖特基輸運的研究
        1.3.3 一維納米肖特勢壘的調(diào)控手段
        1.3.4 一維肖特基器件的應(yīng)用
    1.4 一維納米肖特基勢壘結(jié)構(gòu)的研究
    1.5 目前存在的問題
    1.6 本論文研究意義和思路和主要內(nèi)容
        1.6.1 研究的意義和思路
        1.6.2 主要內(nèi)容
    參考文獻(xiàn)
第二章 ZnO納米帶/線肖特基器件的構(gòu)筑與模擬方法簡介
    2.1 引言
    2.2 ZnO納米帶的制備和表征
        2.2.1 ZnO納米帶的制備
        2.2.2 ZnO納米帶的表征
    2.3 單根ZnO納米帶器件的構(gòu)筑
        2.3.1 納米器件的組裝原理
        2.3.2 單根ZnO納米帶的組裝過程
    2.4 理論模擬方法簡介
        2.4.1 利用ATLAS對器件模擬分析的一般步驟
        2.4.2 主要的物理模型和方程
        2.4.3 二維肖特基器件結(jié)構(gòu)模型
    2.5 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第三章 ZnO納米帶/線肖特基器件勢壘微區(qū)的測量和模擬
    3.1 引言
    3.2 ZnO納米帶/線器件微區(qū)電勢的測量
        3.2.1 ZnO納米帶/線測量的原理
        3.2.2 實驗的方法和過程
        3.2.3 結(jié)果與討論
    3.3 ZnO納米線器件的電勢測量與模擬
    3.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第四章 ZnO納米帶/線肖特基器件輸運特性的研究
    4.1 引言
    4.2 隧穿模型下的器件的電學(xué)性質(zhì)
        4.2.1 不同偏壓下的輸運特性
        4.2.2 電極長度對器件輸運特性的影響
        4.2.3 不同摻雜濃度對器件輸運的影響
    4.3 遷移率模型下器件的電學(xué)性質(zhì)
    4.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
總結(jié)與展望
攻讀碩士學(xué)位期間完成的工作
致謝



本文編號：3599026