通過化學(xué)鍍的方法對碳化硅顆粒表面進(jìn)行了鍍銅改性,采用無壓滲透法制備了鍍銅碳化硅顆粒鋁基復(fù)合材料。對碳化硅顆粒鍍銅前后SiCp/Al復(fù)合材料進(jìn)行動電位極化曲線和電化學(xué)阻抗譜測試。結(jié)果表明:SiC顆�；瘜W(xué)鍍銅后,顆粒完全由Cu包覆,包覆效果良好;鍍銅層對SiCp/Al復(fù)合材料界面有影響,所制得的復(fù)合材料界面結(jié)合良好,鍍層抑制了界面相Al₄C₃的生成,促進(jìn)了界面相CuAl₂的產(chǎn)生;在3.5%NaCl溶液中,碳化硅顆粒鍍銅前后SiCp/Al復(fù)合材料的腐蝕形式均為以點蝕為主,腐蝕過程相似,但鍍銅后SiCp/Al復(fù)合材料表面更早形成鈍化膜;相對于未鍍銅碳化硅制得的SiCp/Al復(fù)合材料,化學(xué)鍍銅后制得的SiCp/Al復(fù)合材料早期更易發(fā)生腐蝕,但在3.5%NaCl溶液中浸泡較長時間后,腐蝕速率更小。 

【文章來源】：材料熱處理學(xué)報. 2017,38(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 實驗材料及方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 碳化硅鍍銅對復(fù)合材料微觀組織的影響
    2.2 碳化硅鍍銅對復(fù)合材料耐蝕性的影響
        2.2.1 Si Cp/Al復(fù)合材料腐蝕形貌的觀察
        2.2.2 極化曲線
        2.2.3 電化學(xué)交流阻抗譜曲線
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3588651