金屬和半導(dǎo)體的接觸有兩種類型:歐姆接觸和肖特基接觸。當(dāng)形成肖特基勢(shì)壘時(shí),器件的傳輸性質(zhì)主要受肖特基勢(shì)壘的控制�；诩{米線的肖特基勢(shì)壘器件具有靈敏度高、響應(yīng)速度快、開(kāi)關(guān)比大的優(yōu)點(diǎn),受到了廣泛的關(guān)注和研究。近年來(lái)利用納米線肖特基勢(shì)壘發(fā)展了多種高性能的器件,例如整流二極管、光檢測(cè)器、氣體傳感器、電阻開(kāi)關(guān)等。勢(shì)壘結(jié)構(gòu)模型的建立是分析肖特基勢(shì)壘電學(xué)傳輸特性的基礎(chǔ)。在傳統(tǒng)的平面接觸型肖特基勢(shì)壘中,通過(guò)在無(wú)限大平面下近似求解泊松方程,得到了一維勢(shì)壘結(jié)構(gòu)模型。目前,大多數(shù)的納米線肖特基勢(shì)壘的電學(xué)分析仍然采用了傳統(tǒng)平面勢(shì)壘中的一維勢(shì)壘結(jié)構(gòu)模型。但是,納米線肖特基勢(shì)壘與傳統(tǒng)平面肖特基勢(shì)壘具有顯著的結(jié)構(gòu)差異。納米線肖特基勢(shì)壘接觸區(qū)的尺寸不是無(wú)限大的,而是局限在納米范圍內(nèi)。而且,大多數(shù)納米線器件采用側(cè)面接觸電極,屬于橫向接觸,而不是縱向接觸。因此,利用傳統(tǒng)一維勢(shì)壘結(jié)構(gòu)模型來(lái)分析納米線肖特基勢(shì)壘,在很多情況下具有局限性,所獲取電學(xué)參數(shù)的準(zhǔn)確性需要謹(jǐn)慎鑒別。因此,分析并檢測(cè)納米線肖特基勢(shì)壘的結(jié)構(gòu),建立勢(shì)壘結(jié)構(gòu)模型,探索勢(shì)壘結(jié)構(gòu)對(duì)電學(xué)傳輸?shù)恼{(diào)控作用,有利于理解納米線肖特基勢(shì)壘器件的工作機(jī)制。利用原子力顯微鏡可以測(cè)量... 

【文章來(lái)源】：河南大學(xué)河南省

【文章頁(yè)數(shù)】：82 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

在AAO模板上組裝的ZnO納米線陣列的光致發(fā)光圖

圖 1-2 三個(gè)器件(a)電流與電壓的關(guān)系；(b)光強(qiáng)度與電流的關(guān)系[30]ZnO 在三極管中的應(yīng)用主要是集中在場(chǎng)效應(yīng)晶體管領(lǐng)域。在 2013 年，Raza 等了一個(gè)快速回復(fù)的光電轉(zhuǎn)換器，圖 1-3 是它的示意圖。這個(gè)轉(zhuǎn)換器主要是由透明的 ZnO 納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管和不透明場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別作為驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載構(gòu)成的。紫外線照射終止后，光電流的恢復(fù)一般需要很長(zhǎng)時(shí)間。這種持久的光電導(dǎo)性（PP由于 ZnO 納米線表面上的空穴俘獲造成的。在這里，作者在紫外線照射后使用了

)ZnO 納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的示意圖；(b)ZnO 納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管陣列掃描圖；納米線光轉(zhuǎn)換器的掃描圖[3]性能和比表面積息息相關(guān)。由于 ZnO 納米線直徑減小，它的比表面積味著基于納米線的傳感器會(huì)有更高的傳感性能。

【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]ZnO納米帶/線肖特基勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的微區(qū)測(cè)量和理論模擬[D]. 張永樂(lè).河南大學(xué) 2016



本文編號(hào)：3579083