利用脈沖激光沉積法在玻璃襯底上生長、并經(jīng)Ar保護(hù)下快速退火制備SnS薄膜。利用X射線衍射、拉曼光譜、X射線能量色散譜、原子力顯微鏡、紫外-可見-近紅外分光光度計等表征手段,對不同條件（脈沖激光能量:90和140 rnJ;退火溫度:100⁴00℃）下制備SnS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、表面形貌、光學(xué)特性等進(jìn)行表征分析。結(jié)果表明:脈沖激光能量為140mJ、退火溫度為300℃時所制備的SnS薄膜結(jié)晶質(zhì)量良好、擇優(yōu)取向生長良好、成分接近理想配比（Sn:S=1:1.03）、光吸收系數(shù)為10⁵ cm^-1量級。 

【文章來源】：真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報. 2016,36(01)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

SnS薄膜樣品拉受圖

第１期?馬明杰等：脈沖激光沉積結(jié)合快速退火制備ＳｎＳ薄膜及其表征?７５??表２?ＳｎＳ薄膜的晶胞體積、應(yīng)力、位錯密度?綜合拉曼譜和ＸＲＤ譜得，ＳｎＳ薄膜在３００弋退火時??Ｔａｂ．２?Ｃｅｌｌ?ｖｏｌｕｍｅ，ｓｔｒａｉｎ，ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ?ｄｅｎｓｉｔｙ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＳｎＳ?ｔｈｉｎ?ｆｉｌｍ?的結(jié)晶程度和相純度都是最好的。??溫度?晶胞體積Ｖ／ｎｍ３?應(yīng)力?位錯密度／ｍｚ?２?３?薄膜組分分析??２００Ｘ?０．１９５?０．０１２０?７．４９?ｘ?１〇＇４?＇??３００？ｃ?０．１９３?０．００１２?５．６４?ｘｌＯ１４?圖３是ＳｎＳ薄膜的ＥＤＳ譜圖。ＥＤＳ圖譜中標(biāo)注??４００＾?０１９１?０?０１７６?６．５０ｘ?１０＇＊?了?Ｓｎ和Ｓ元素峰位，其他與玻璃襯底有關(guān)的元素峰??—??位未標(biāo)注。表３給出靶材和溫??２．２薄膜拉曼光譜分析?度退火條件下制備的ＳｎＳ薄膜的化學(xué)組分摩爾比。??各溫度退火的ＳｎＳ薄膜的拉曼光譜特征如圖２??所示。隨著退火溫度的不同，其拉曼峰也有所不同，?表３?ＳｎＳ薄膜樣品的化學(xué)成分??主要的?ＳｎＳ?拉曼峰在?９４，１５０，１７０，２２１?ｃｍ－１?附近，其??Ｔａｂ．３?Ｃｏｎｔｅｎｔｓ?ｏｆ?ｔｈｅ?ＳｎＳ?ｃｏａｔｉｎｇｓ???中９４，２２１?ｃｍ?—?１附近的拉曼峰屬于Ａｇ模、１５０?ｃｍ—１拉?溫度??＾??Ｓｎ／Ｓ比??曼峰屬于Ｂ２ｇ模、１７０?ｃｎＴ１拉曼峰屬于Ｂ３ｇ模。而３０５??＾?Ｓ???ｒ?，?靶材?６．５％?６３．５％?０．５７??ｃｍ—１附近位置的峰對應(yīng)的Ｓｎ２Ｓ３［１７－１９］。由圖可以

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]脈沖激光沉積制備SnS薄膜及其光學(xué)特性的研究[J]. 李麗麗,梁齊,史成武,孔明光,李兵.  真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報. 2011(04)



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