發(fā)布時(shí)間：2021-12-31 19:30

　　層狀過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDCs）是二維材料中的一個(gè)大家族,這類(lèi)材料由于其獨(dú)特的晶格結(jié)構(gòu)和物理、化學(xué)性質(zhì),在基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題（如能帶結(jié)構(gòu)、超導(dǎo)性、電荷密度波等）和實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域（如納米電子器件、光電子器件、能源存儲(chǔ)材料和催化等）都有著重要的研究?jī)r(jià)值。層狀結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)使得這些材料層間可以嵌入外來(lái)粒子,如堿金屬離子,插層化學(xué)就是這類(lèi)化合物的重要的研究領(lǐng)域,插層是一種有效的調(diào)控性質(zhì)的手段,這其中涉及到材料晶格結(jié)構(gòu)變化、相變等問(wèn)題,對(duì)這些問(wèn)題的深入研究有助于加深對(duì)TMDCs材料堿金屬嵌入機(jī)制的認(rèn)識(shí)。我們采用原位透射電鏡的方法來(lái)研究過(guò)渡金屬硫族化合物（包括MoS₂、WS₂）的堿金屬嵌入過(guò)程。原位透射電鏡繼承了傳統(tǒng)電鏡高空間分辨率的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在電鏡中引入各種外加條件,能實(shí)時(shí)觀察材料的結(jié)構(gòu)變化,將材料的結(jié)構(gòu)性質(zhì)和外加條件一一對(duì)應(yīng)起來(lái)。通過(guò)原位電鏡技術(shù)我們研究了MoS₂、WS₂的堿金屬嵌入過(guò)程,主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:1.在透射電鏡中構(gòu)造了基于MoS₂納米片、金屬Li和氧化鋰固態(tài)電解質(zhì)的電化學(xué)反應(yīng)半... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院物理研究所)北京市

【文章頁(yè)數(shù)】：109 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

MX2中M和X在元素周期表中的位置

1.1 MX2中 M 和 X 在元素周期表中的位置。存在的 40 多種層狀 TMDCs9。TMDCs 是指具有 MX2型化學(xué)式的材料，其中 M 是指過(guò)渡金屬元素（如 ，Hf，V，Nb，Ta，Mo，W，Re），X 是指硫族元素（如 S，Se，Te）。TM著悠久的研究歷史，早在 1923 年 Linus Pauling 就確定了二硫化鉬的結(jié)構(gòu) 60 年代末已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了四十多種層狀 TMDCs7（見(jiàn)圖 1.1）。MoS2的少層在 1963 年由 Robert Frindt 通過(guò)膠帶法獲得12，1986 年單層的 MoS2首次13，進(jìn)一步推動(dòng)了 2D-TMDCs 的研究。04 年之后石墨烯相關(guān)研究的迅速動(dòng)了其他層狀材料的研究，TMDCs 材料的相關(guān)研究迎來(lái)了一個(gè)熱門(mén)時(shí)期

第 1 章 緒論（hexagonal），T 指的是三方結(jié)構(gòu)（trigonal） 個(gè)原子平面層（硫族元素-過(guò)渡金屬-硫族元素的六角結(jié)構(gòu)，H 相對(duì)應(yīng) AbA 的堆積方式，兩層垂直于層的方向上，每個(gè)硫族原子都在下層的（見(jiàn)圖 1.3 (a-b)）。其中大寫(xiě)字母代表硫族元素相同的字母代表在基面內(nèi)（basal plane）的位置

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]探索物質(zhì)結(jié)構(gòu)之透射電子顯微鏡[J]. 谷林.  科技導(dǎo)報(bào). 2017(13)
[2]原位透射電子顯微學(xué)進(jìn)展及應(yīng)用[J]. 王榮明,劉家龍,宋源軍.  物理. 2015(02)
[3]Real-time in situ TEM studying the fading mechanism of tin dioxide nanowire electrodes in lithium ion batteries[J]. WANG LiFen,XU Zhi,YANG ShiZe,TIAN XueZeng,WEI JiaKe,WANG WenLong,BAI XueDong.  Science China（Technological Sciences）. 2013(11)



本文編號(hào)：3560836