對C276鎳鉻合金基帶進行電化學拋光后,采用磁控濺射技術(shù)制備中間層或過渡層,然后通過金屬有機物化學氣相沉積法制備Y-Ba-Cu-O高溫超導層�？疾炝藪伖怆娏鲗伖鈳П砻娲植诙�、中間層或過渡層面內(nèi)織構(gòu)度數(shù)和超導層的臨界電流的影響。確定了合適的基帶拋光電流范圍為60～100 A,最佳為90 A。 

【文章來源】：電鍍與涂飾. 2020,39(11)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

超導帶材的大致結(jié)構(gòu)

由圖3可知，當拋光電流小于60 A時，中間層面內(nèi)織構(gòu)度數(shù)(即半高寬，θTC)變動范圍較大，在7°～5.5°之間；當拋光電流為60～100 A時，中間層面內(nèi)織構(gòu)度數(shù)變動范圍較小，接近于5.5°。圖3 4組平行實驗中拋光電流對中間層(過渡層)織構(gòu)的影響

4組平行實驗中拋光電流對中間層(過渡層)織構(gòu)的影響

【參考文獻】：
期刊論文
[1]電化學拋光[J]. 黃文廣,李劍英.  廣東化工. 2017(10)
[2]電化學拋光技術(shù)新進展[J]. 杜炳志,漆紅蘭.  表面技術(shù). 2007(02)
[3]電化學拋光機制研究與進展[J]. 馬勝利,葛利玲.  表面技術(shù). 1998(04)
[4]Ba-Y-Cu氧化物液氮溫區(qū)的超導電性[J]. 趙忠賢,陳立泉,楊乾聲,黃玉珍,陳賡華,唐汝明,劉貴榮,崔長庚,陳烈,王連忠,郭樹權(quán),李山林,畢建清.  科學通報. 1987(06)

博士論文
[1]ZnO薄膜的MOCVD制備及ZnO/Si發(fā)光器件研究[D]. 李香萍.吉林大學 2009



本文編號：3558259