對(duì)C276鎳鉻合金基帶進(jìn)行電化學(xué)拋光后,采用磁控濺射技術(shù)制備中間層或過(guò)渡層,然后通過(guò)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法制備Y-Ba-Cu-O高溫超導(dǎo)層。考察了拋光電流對(duì)拋光帶表面粗糙度、中間層或過(guò)渡層面內(nèi)織構(gòu)度數(shù)和超導(dǎo)層的臨界電流的影響。確定了合適的基帶拋光電流范圍為60～100 A,最佳為90 A。 

【文章來(lái)源】：電鍍與涂飾. 2020,39(11)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

超導(dǎo)帶材的大致結(jié)構(gòu)

由圖3可知，當(dāng)拋光電流小于60 A時(shí)，中間層面內(nèi)織構(gòu)度數(shù)(即半高寬，θTC)變動(dòng)范圍較大，在7°～5.5°之間；當(dāng)拋光電流為60～100 A時(shí)，中間層面內(nèi)織構(gòu)度數(shù)變動(dòng)范圍較小，接近于5.5°。圖3 4組平行實(shí)驗(yàn)中拋光電流對(duì)中間層(過(guò)渡層)織構(gòu)的影響

4組平行實(shí)驗(yàn)中拋光電流對(duì)中間層(過(guò)渡層)織構(gòu)的影響

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]ZnO薄膜的MOCVD制備及ZnO/Si發(fā)光器件研究[D]. 李香萍.吉林大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3558259