近年,隨著信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,電子器件的微型化使得磁性材料得到廣泛應(yīng)用。對(duì)于電磁器件的要求不僅是微型化、高性能化,而且還要求其在高頻下具有良好的響應(yīng)。NiCu合金是一種廣泛應(yīng)用于GMR（Giant Magnetoresistance）的薄膜材料,因制備工藝簡(jiǎn)單,成本較低受到關(guān)注。在實(shí)驗(yàn)室中,常用的薄膜制備方法大體分為兩類,一類需要高真空環(huán)境,成本較高,另一類不需要高真空,成本較低。薄膜制備方法的不同對(duì)金屬薄膜的性能會(huì)有很大的影響。因此,本文中主要采用磁控濺射法和電化學(xué)沉積法制備NiCu合金薄膜,對(duì)比研究了兩種制備方法對(duì)NiCu薄膜結(jié)構(gòu)、形貌和磁性的影響。通過對(duì)兩種薄膜制備方法的比較發(fā)現(xiàn),磁控濺射法制備的薄膜與電化學(xué)沉積法相比,成分更容易控制,薄膜性能較好。而脈沖電沉積與直流電沉積相比更容易得到表面平整的薄膜,也更容易出現(xiàn)明顯的共振峰,磁譜曲線更為光滑。主要內(nèi)容如下:首先采用磁控共濺射方法,通過調(diào)整共濺射銅片的數(shù)量制備了一組Ni_xCu_1-x薄膜。研究了薄膜中Ni含量的變化和熱處理溫度對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌和磁性能的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),Ni_x<... 

【文章來源】：蘭州大學(xué)甘肅省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：75 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

磁性材料的磁化曲線和磁滯回線[46]

軟磁薄膜典型共振型磁譜[56]

蘭州大學(xué)碩士學(xué)位論文論文題目：NiCu薄膜的磁性研究12屬銅的過程中，在陰極主要發(fā)生的是二價(jià)的銅離子得到電子被還原成金屬銅。反應(yīng)方程式如下：Cu2++2e-→Cu（3-1）同時(shí)，因?yàn)槭褂玫氖撬芤哼M(jìn)行電鍍，所以在陰極還會(huì)發(fā)生析氫反應(yīng)，反應(yīng)方程式如下：2H++2e-→H2↑（3-2）因?yàn)樵诒疚闹嘘?yáng)極所用的電極是金屬鉑片，因而在陽(yáng)極發(fā)生的反應(yīng)主要是：4OH-→2H2O+O2↑+2e-（3-3）本文中使用的電化學(xué)工作站是北京華科普天的CHI860型電化學(xué)工作站，利用的是三電極體系，具體結(jié)構(gòu)如圖3-2所示。實(shí)驗(yàn)在常溫下進(jìn)行，采用飽和甘汞電極作為參比電極，采用2cm2cm的金屬Pt片作為陽(yáng)極，采用氧化銦錫導(dǎo)電玻璃（ITO）作為陰極，也就是工作電極。兩個(gè)電極間距離為1.1cm，在制備金屬薄膜的過程中，在薄膜平面內(nèi)施加800Oe的磁常每組樣品的制備條件可以詳見第五章中的樣品制備條件小節(jié)。圖3-2為電沉積結(jié)構(gòu)示意圖由于電沉積的類型較多，本論文中主要用到的兩種類型為直流電沉積和脈沖電沉積，下面主要對(duì)這兩種方法和一些注意事項(xiàng)進(jìn)行介紹。（1）直流電沉積在電沉積方法中以直流電沉積最為常用。直流電沉積顧名思義，在電解池的陰極和陽(yáng)極之間通入的是直流電，電流是連續(xù)的，如圖3-3（a）所示�？梢酝ㄟ^控制溶液中離子的濃度、pH和絡(luò)合劑等來調(diào)控鍍層的各種性能。并且，直流電沉積具有相對(duì)成熟的技術(shù)知識(shí)。（2）脈沖電沉積

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]節(jié)能環(huán)保是電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向[J]. 趙碩.  電器工業(yè). 2017(11)
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博士論文
[1]負(fù)磁晶各向異性常數(shù)合金軟磁薄膜的取向生長(zhǎng)及高頻磁性調(diào)控[D]. 馬天勇.蘭州大學(xué) 2019

碩士論文
[1]GMR自旋閥材料的制備及性能研究[D]. 劉振濤.杭州電子科技大學(xué) 2019
[2]軟磁薄膜的高頻磁性測(cè)試方法研究及其在坡莫合金薄膜研究中的應(yīng)用[D]. 魏晉武.蘭州大學(xué) 2017
[3]電沉積參數(shù)對(duì)FeCo基軟磁薄膜磁性能的影響[D]. 馮爾璽.蘭州大學(xué) 2013



本文編號(hào)：3549708