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低維納米材料電學(xué)和電催化性能調(diào)控的第一性原理研究

發(fā)布時(shí)間:2021-12-24 00:49
  低維納米材料由于維度的降低誘導(dǎo)了豐富的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)、力學(xué)以及催化性質(zhì)等而吸引了科研院所和工業(yè)界的廣泛關(guān)注,但其現(xiàn)有性質(zhì)遠(yuǎn)不能滿足當(dāng)前電子器件和能源材料發(fā)展的需要,因此開發(fā)新的材料和基于現(xiàn)有材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)調(diào)控是實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)的重要手段。本博士論文主要從具有新奇結(jié)構(gòu)的單層過渡金屬硫?qū)倩铮═MDs)和常見能源催化材料出發(fā),采用第一性原理方法考察原子位置重構(gòu)、缺陷工程、表界面工程、納米結(jié)構(gòu)工程、單原子等手段對材料電學(xué)和電催化性能的影響。本論文主要分成四部分,共五章。第一部分就是第一章,是全文的理論基礎(chǔ),包括密度泛函理論(DFT),電化學(xué)基本理論和目前處理相變的方法。第二部分是第二和第三章,第二章主要考察原子位置重構(gòu)對二硫化錸(ReS2)結(jié)構(gòu)和性能的影響;第三章是基于二硒化鈀(PdSe2),通過缺陷工程,原子位置重構(gòu)以及堿金屬(Li,Na,K)在表面遷移等手段豐富了 PdSe2的性質(zhì)及用途。第三部分就是第四章,與實(shí)驗(yàn)結(jié)合,考察表面缺陷工程、納米結(jié)構(gòu)工程、表界面工程與單原子對常見電催化反應(yīng),如氧還原、析氧反應(yīng)、析氫反應(yīng)以及CO2還原性能的影響。第一章是全文的理論基礎(chǔ),主要介紹DFT,電化學(xué)理論基... 

【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:128 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

低維納米材料電學(xué)和電催化性能調(diào)控的第一性原理研究


圖1.1連續(xù)介質(zhì)模型示意圖,摘自MS模塊中DMOL3部分COSMO-solvationeffects

模型圖,加氫,模型,中水


solvated?和?H-shuttling?模型,如圖?1.2?所示。在圖?1.2?⑷中?water-solvated?模型,??加氫反應(yīng)僅是表面吸附的*H轉(zhuǎn)移到*A上,而H20分子在沿著反應(yīng)路徑方向呈??現(xiàn)溶劑化吸附態(tài)*A。圖1.2(b)中,H-shuttlixig模型,表面的H轉(zhuǎn)移到H20上,??而H20上的H轉(zhuǎn)移到吸附的*A上,這種溶液體系的加氫/脫氫反應(yīng)通過Grotthuss??類似的機(jī)理在先前的DFT模擬中也報(bào)道過[22]。對于其中吸附氫位置的選擇,按??照有利于TS形成的位置來考慮,不影響反應(yīng)能壘。??H?H??H、r/?\?H??〇?〇^H??t?/??H*?A*?H*?A*??C-■—C.—J??(a)?(b)??圖1.2兩種加氫步驟中水幫助的可能模型:(a)?water-solvated模型,(b)?H-shuttling模??型,摘自文獻(xiàn)[23]??1.2.3?過渡態(tài)搜索方法??過渡態(tài)(Transition?state,?TS)—直是化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)關(guān)注的焦點(diǎn),直接決定著??反應(yīng)的速率,同時(shí)也有助于反應(yīng)機(jī)理的了解,所以TS的搜索就顯得非常關(guān)鍵,??博士期間的研究主要使用的TS搜索方法就是基于反應(yīng)物(R)和產(chǎn)物(P)的??以及C1-NEB方法128-31】

聲子譜,二維,晶格參數(shù),正則系綜


,中晶格參數(shù)和能量的單位分別是A和eV。??ENCUT?a?b?y?AE??400?DT-1?6.41?6.51?118.84?0.00??DT-2?5.73?6.39?90.09?0.06??Tri?5.79?5.79?120?0.54??500?DT-1?6.41?6.51?118.83?0.00??DT-2?5.73?6.39?90.09?0.06???Tri?5.79?5.79?120?0.54??表2.2?PBE+D3修正對DT-1,DT-2和Tri相的結(jié)構(gòu)參數(shù)U?b,y)和相對能量(AE響,其中晶格參數(shù)和能量的單位分別是A和eV。??Method?a?b?y?C???^"PBE?DTA?6A\?6^i?118.84?0.00??DT-2?5.73?6.39?90.09?0.06??Tri?5.79?5.79?120?0.54??PBE+D3?DT-1?6.39?6.49?118.81?0.00??DT-2?5.71?6.37?90.12?0.06???Tri?5.77?5.77?120?0.57??我們使用Phonopy?1.7.4軟件,采用有限位移的方法來計(jì)算二維ReS2譜【46]。對于DT和Tri相分別采用24x1和3x3x1的超胞。使用正則系綜(的BOMD,采用N(ie算法[47],3x3x1的超胞從丨〇〇,?200,?300,和400K溫,時(shí)間步長為1.0?fs,總的模擬時(shí)間為1?Ops。??


本文編號:3549507

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