為了防止超導(dǎo)磁體中超導(dǎo)帶因洛倫茲力震蕩而偏離原始位置,環(huán)氧樹(shù)脂常用來(lái)對(duì)超導(dǎo)磁體進(jìn)行浸漬,且其性能優(yōu)劣直接關(guān)系到超導(dǎo)磁體的運(yùn)行穩(wěn)定性�；谔岣叱瑢�(dǎo)磁體浸漬用環(huán)氧樹(shù)脂的性能的目的,本論文采用熱導(dǎo)率高、絕緣性能好的氮化鋁（AlN）粉體作為增強(qiáng)體填料,對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行改性研究。本文利用硅烷偶聯(lián)劑對(duì)AlN表面進(jìn)行改性處理,將AlN親水性表面轉(zhuǎn)變?yōu)橛H有機(jī)表面,避免了樹(shù)脂體系中粒子的團(tuán)聚及聚合物的急劇稠化,同時(shí)提高了環(huán)氧樹(shù)脂對(duì)增強(qiáng)體填料的潤(rùn)濕性。為了探索AlN/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的固化工藝對(duì)超導(dǎo)磁體載流能力的影響,本文研究了恒溫溫度（℃）及恒溫時(shí)間（小時(shí)）對(duì)超導(dǎo)帶臨界電流的影響。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)恒溫時(shí)間為2h,恒溫溫度超過(guò)140℃時(shí),超導(dǎo)帶的臨界電流開(kāi)始出現(xiàn)明顯下降,在220℃的環(huán)境溫度下處理2h之后,超導(dǎo)帶的臨界電流下降了20%。同時(shí),超導(dǎo)帶在一定溫度下的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)也會(huì)造成臨界電流的下降,在160℃處理6小時(shí)后,其臨界電流下降了 7%�？梢�(jiàn),溫度過(guò)高或長(zhǎng)時(shí)間處于一定溫度均會(huì)造成超導(dǎo)帶載流能力的退化。通過(guò)穩(wěn)態(tài)法對(duì)AlN/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料在低溫下的導(dǎo)熱性能進(jìn)行了測(cè)試。研究發(fā)現(xiàn),在低溫（77K）下,環(huán)氧樹(shù)脂的熱導(dǎo)... 

【文章來(lái)源】：北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：86 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－２高溫處理之后的超導(dǎo)帶試樣??Ｆｉｇ２－２?Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ?ｔａｐｅ?ｓａｍｐｌｅｓ?ａｆｌｔｅｒ?ｈｉｇｈ?ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ?ｔｒｅａｔｍｅｎｔ??

／ｆ。在工程測(cè)量中，通常將電壓降ｌｕＶ／ｃｍ或電阻率２ｘ１０－１哨．ｍ作為臨界電流判??據(jù)［６５］，因此可Ｗ根據(jù)Ｆ－／曲線來(lái)分析確定超導(dǎo)體的臨界電流，圖２－３為四引線法測(cè)??量超導(dǎo)體臨界電流時(shí)的臨界電流判據(jù)，若己知超導(dǎo)體待測(cè)樣品的截面積義則可進(jìn)??一步確定超導(dǎo)體的臨界電流密度／，。圖２－４為電測(cè)量法測(cè)量超導(dǎo)體臨界電流的原理??性電路圖［６６１。??１２?常態(tài)電阻線?／?，???超導(dǎo)Ｋ－戶恃性曲＾?．．??：：?７＇……………對(duì)＇??０．０－?＾?????；??＇?Ｉ?■?Ｉ?■?Ｉ?－?Ｉ?？?Ｉ?－?■…?Ｉ?？??０?Ｉｃ??【（Ａ）??圖２－３四引線測(cè)量法的臨界電流判據(jù)??Ｆｉｇ?２－３?Ｃｒｉｔｉｃａｌ?ｃｕｒｒｅｎｔ?ｃｒｉ化ｒｉｏｎ?ｏｆ?ｆｏｕｒ?－?ｌｅａｄ?ｍｅ化ｏｄ??１６??

Ｆｉｇ２－５?Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｆｏｕｒ－ｌｅａｄ?ｍｅｔｈｏｄ?ｔｅｓｔ?ｓｙｓｔｅｍ??ｗｍ??ｊ８Ｈｈ??圖２－６超導(dǎo)臨界電流測(cè)試??Ｆｉｇ２－６?Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ?ｃｒｉｔｉｃａｌ?ｃｕｒｒｅｎｔ?ｔｅｓｔ??本文中使用的直流電源為Ｃｒｙｏｇｅｎｉｃ?Ｌｉｍｉｔｅｄ提供的超導(dǎo)磁體電源??（Ｓｕｐｅｒｃｏｒｕｉｕｃｔｉｎｇ?Ｍａｇｎｅｔ?Ｐｏｗｅｒｓ?叩?ｐｌｉｅｓ），其電流輸出范圍為?１０?？６００Ａ。該電源??有手動(dòng)控制和遠(yuǎn)程控制兩種控制方式，手動(dòng)控制通過(guò)直流電源的前面板進(jìn)行操作，??遠(yuǎn)程控制則需要通過(guò)ＵＳＢ接口與上位機(jī)進(jìn)行連接通信并利用ＬａｂＶ化Ｗ？軟件實(shí)現(xiàn)。??同時(shí)，該電流源具有電壓保護(hù)功能，保護(hù)電壓為４Ｖ，若實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，電壓引線焊??接質(zhì)量不高，出現(xiàn)虛焊或其它接觸不良導(dǎo)致接觸電阻過(guò)高的情況，電壓均有可能??超過(guò)４Ｖ，從而致使測(cè)量不能順利進(jìn)行，因此實(shí)驗(yàn)過(guò)程中電纜及各類(lèi)引線的焊接或??連接質(zhì)量至關(guān)重要。由于超導(dǎo)帶的臨界電流很大，可達(dá)數(shù)百安培，因此從直流電??源輸出的電流需要通過(guò)電纜進(jìn)行輸運(yùn)，并串接相應(yīng)的電流分流器（見(jiàn)圖２－７左）Ｗ??便于對(duì)輸運(yùn)電流進(jìn)行測(cè)試跟蹤。同時(shí)測(cè)試過(guò)程中超導(dǎo)帶的樣品較多

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]能源革命:從化石能源到新能源[J]. 鄒才能,趙群,張國(guó)生,熊波.  天然氣工業(yè). 2016(01)
[2]超導(dǎo)技術(shù)在未來(lái)電網(wǎng)中的應(yīng)用[J]. 肖立業(yè).  科學(xué)通報(bào). 2015(25)
[3]石墨烯-多壁碳納米管協(xié)同增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的低溫力學(xué)性能[J]. 沈小軍,孟令軒,付紹云.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2015(01)
[4]多壁碳納米管/聚醚砜-環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的制備及力學(xué)性能[J]. 秦浩,王洋,孟姍姍,張博明.  復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2014(04)
[5]未來(lái)電網(wǎng)—多層次直流環(huán)形電網(wǎng)與“云電力”[J]. 肖立業(yè),林良真,徐銘銘,戴少濤.  電工電能新技術(shù). 2011(04)
[6]制冷機(jī)做冷源的低溫?zé)釋?dǎo)率測(cè)量裝置研制[J]. 劉輝明,徐冬,徐鵬,龔領(lǐng)會(huì),李來(lái)風(fēng).  低溫工程. 2011(01)
[7]未來(lái)電網(wǎng)初探[J]. 肖立業(yè),林良真.  電工電能新技術(shù). 2011(01)
[8]超導(dǎo)臨界電流測(cè)量方法與原理[J]. 郭志超,索紅莉,劉志勇,劉敏,馬麟.  功能材料. 2010(12)
[9]低溫下固體的比熱容的量子論解釋[J]. 閆世平.  山西大同大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2010(01)
[10]構(gòu)建全國(guó)統(tǒng)一的新能源電網(wǎng),推進(jìn)我國(guó)智能電網(wǎng)的建設(shè)[J]. 肖立業(yè),林良真.  電工電能新技術(shù). 2009(04)

博士論文
[1]高溫超導(dǎo)磁儲(chǔ)能磁體電磁熱力綜合設(shè)計(jì)[D]. 焦豐順.華中科技大學(xué) 2013
[2]納米填料改性環(huán)氧樹(shù)脂低溫力學(xué)性能研究[D]. 陳振坤.中國(guó)科學(xué)院研究生院（理化技術(shù)研究所） 2009
[3]高導(dǎo)熱絕緣高分子復(fù)合材料研究[D]. 周文英.西北工業(yè)大學(xué) 2007
[4]聚酰亞胺/氮化鋁復(fù)合材料的制備與性能研究[D]. 王家俊.浙江大學(xué) 2001

碩士論文
[1]碳纖維/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的制備及性能研究[D]. 王淑娟.吉林大學(xué) 2013
[2]基于4K G-M制冷機(jī)的固體材料低溫?zé)釋?dǎo)率測(cè)量研究[D]. 陳艷婕.上海交通大學(xué) 2011



本文編號(hào)：3549234