官能化P3HT與P3HT/CdS納米復(fù)合材料的制備與性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-12-23 15:24
聚3-己基噻吩(P3HT)是一種具有良好的溶解性、環(huán)境穩(wěn)定性、加工性的共軛導(dǎo)電聚合物,具有特殊的光電性質(zhì)。由P3HT與無(wú)機(jī)納米晶形成的復(fù)合材料的性能與有機(jī)無(wú)機(jī)兩相的界面性質(zhì)緊密相關(guān);瘜W(xué)鍵連接的有機(jī)無(wú)機(jī)納米復(fù)合材料其界面相容性更好,能更有效的進(jìn)行電荷傳輸,近年來(lái)也倍受學(xué)術(shù)界關(guān)注。本文的研究工作分為以下幾個(gè)方面:(1)官能化P3HT的制備與表征。本文先以2,5-二溴-3-己基噻吩為單體,采用GRIM法合成了P3HT,然后再分別和氯磷酸二乙酯和CO2反應(yīng),得到主鏈末端磷酸酯基化的P3HT和主鏈末端羧酸基化的P3HT。采用核磁共振氫譜(1H NMR)、傅里葉紅外光譜(FTIR)、紫外-可見(jiàn)光譜(UV-Vis)和熒光光譜(FL)等測(cè)試方法對(duì)P3HT及兩種官能化P3HT進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,實(shí)驗(yàn)成功地合成了P3HT、磷酸酯基化的P3HT及羧酸基化的P3HT。相對(duì)于P3HT,磷酸酯基化的P3HT及羧酸基化的P3HT的紫外吸收峰均有一定的藍(lán)移,且熒光發(fā)射光譜都有淬滅現(xiàn)象。(2) P3HT/CdS納米復(fù)合材料的制備與表征。本文通過(guò)原位反應(yīng)法分別以磷酸酯基化P3HT和羧酸基化P3HT為模板,以二水乙酸鎘...
【文章來(lái)源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 聚噻吩衍生物的概述
1.2.1 聚噻吩衍生物的合成方法
1.2.2 聚噻吩衍生物的應(yīng)用
1.3 共軛高分子/CdS納米復(fù)合材料
1.3.1 制備方法
1.3.2 研究現(xiàn)狀
1.4 本論文的研究?jī)?nèi)容及意義
1.4.1 本論文的研究?jī)?nèi)容
1.4.2 本論文的研究意義
第二章 官能化P3HT的制備與表征
2.1 實(shí)驗(yàn)部分
2.1.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及儀器
2.1.3 P3HT的合成過(guò)程
2.1.4 磷酸酯基化P3HT的合成過(guò)程
2.1.5 羧酸基化P3HT的合成過(guò)程
2.1.6 樣品表征
2.2 結(jié)果與討論
2.2.1 P3HT分析表征
2.2.2 磷酸酯基化P3HT分析表征
2.2.3 羧酸基化P3HT分析表征
2.3 本章小結(jié)
第三章 P3HT/CdS納米復(fù)合材料的制備與性能研究
3.1 實(shí)驗(yàn)部分
3.1.1 實(shí)驗(yàn)試劑
3.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及儀器
3.1.3 P3HT/CdS納米復(fù)合材料的制備
3.1.3.1 磷酸酯基P3HT/CdS納米復(fù)合材料的合成過(guò)程
3.1.3.2 羧酸基化P3HT/CdS納米復(fù)合材料的合成過(guò)程
3.1.4 樣品表征
3.2 結(jié)果與討論
3.2.1 磷酸酯基P3HT/CdS納米復(fù)合材料的分析表征
3.2.1.1 機(jī)理探討及相關(guān)結(jié)構(gòu)表征
3.2.1.2 反應(yīng)溫度對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.1.3 S/Cd摩爾比對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.1.4 不同DCB/DMSO體積比對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.1.5 磷酸酯基化P3HT/CdS對(duì)金屬離子的熒光檢測(cè)研究
3.2.2 羧酸基化P3HT/CdS納米復(fù)合材料的分析表征
3.2.2.1 機(jī)理探討及相關(guān)結(jié)構(gòu)表征
3.2.2.2 反應(yīng)溫度對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.2.3 S/Cd摩爾比對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.2.4 不同DCB/DMSO體積比對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.2.5 羧酸基化P3HT/CdS對(duì)金屬離子的熒光檢測(cè)研究
3.3 本章小結(jié)
第四章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]聚噻吩類電致變色材料的研究進(jìn)展[J]. 金珊珊,陳宏書(shū),王結(jié)良,胡志毅,朱貞. 高分子通報(bào). 2014(03)
[2]聚(3-己基噻吩)作為光譜增感層在有機(jī)太陽(yáng)電池光譜響應(yīng)增強(qiáng)中的應(yīng)用[J]. 吳振武,劉揚(yáng),韋尚江,黃訓(xùn),張東煜,周明,陳立桅,馬昌期,王華. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2013(08)
[3]納米晶/聚合物太陽(yáng)能電池[J]. 付紅紅,欒偉玲,袁斌霞,涂善東. 化學(xué)進(jìn)展. 2012(09)
[4]合成方法對(duì)聚(3-己基噻吩)立構(gòu)規(guī)整度的影響[J]. 翟天亮,謝林,彭民樂(lè),周星紅,夏和生,費(fèi)國(guó)霞. 化工新型材料. 2011(09)
[5]聚噻吩及其衍生物、聚噻吩基復(fù)合材料的導(dǎo)電性能研究進(jìn)展[J]. 杜永,蔡克峰. 材料導(dǎo)報(bào). 2010(21)
[6]聚(3-己基噻吩)的合成與表征[J]. 周星紅,夏和生. 高分子材料科學(xué)與工程. 2010(05)
[7]基于聚噻吩衍生物的異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池[J]. 甘禮華,趙麗,朱大章,劉明賢,陳龍武. 膜科學(xué)與技術(shù). 2010(02)
[8]噻吩類電致發(fā)光材料的能級(jí)結(jié)構(gòu)及光電性能研究[J]. 肖英勃,祁爭(zhēng)健,孫岳明,虞婧,何艷芳. 材料導(dǎo)報(bào). 2008(06)
[9]導(dǎo)電高分子電致變色材料及其在飛行器和軍事偽裝中的應(yīng)用[J]. 方鯤,毛衛(wèi)民,吳其曄,劉文言,敖明. 宇航材料工藝. 2004(02)
[10]有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化材料研究進(jìn)展[J]. 肖明艷,陳建敏. 高分子材料科學(xué)與工程. 2001(05)
碩士論文
[1]不同取代聚噻吩衍生物的合成與表征[D]. 顧永強(qiáng).西安工業(yè)大學(xué) 2014
[2]基于硫化鎘(CdS)納米結(jié)構(gòu)的有序本體異質(zhì)結(jié)雜化太陽(yáng)能電池[D]. 南亞雄.浙江大學(xué) 2012
本文編號(hào):3548721
【文章來(lái)源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 聚噻吩衍生物的概述
1.2.1 聚噻吩衍生物的合成方法
1.2.2 聚噻吩衍生物的應(yīng)用
1.3 共軛高分子/CdS納米復(fù)合材料
1.3.1 制備方法
1.3.2 研究現(xiàn)狀
1.4 本論文的研究?jī)?nèi)容及意義
1.4.1 本論文的研究?jī)?nèi)容
1.4.2 本論文的研究意義
第二章 官能化P3HT的制備與表征
2.1 實(shí)驗(yàn)部分
2.1.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及儀器
2.1.3 P3HT的合成過(guò)程
2.1.4 磷酸酯基化P3HT的合成過(guò)程
2.1.5 羧酸基化P3HT的合成過(guò)程
2.1.6 樣品表征
2.2 結(jié)果與討論
2.2.1 P3HT分析表征
2.2.2 磷酸酯基化P3HT分析表征
2.2.3 羧酸基化P3HT分析表征
2.3 本章小結(jié)
第三章 P3HT/CdS納米復(fù)合材料的制備與性能研究
3.1 實(shí)驗(yàn)部分
3.1.1 實(shí)驗(yàn)試劑
3.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及儀器
3.1.3 P3HT/CdS納米復(fù)合材料的制備
3.1.3.1 磷酸酯基P3HT/CdS納米復(fù)合材料的合成過(guò)程
3.1.3.2 羧酸基化P3HT/CdS納米復(fù)合材料的合成過(guò)程
3.1.4 樣品表征
3.2 結(jié)果與討論
3.2.1 磷酸酯基P3HT/CdS納米復(fù)合材料的分析表征
3.2.1.1 機(jī)理探討及相關(guān)結(jié)構(gòu)表征
3.2.1.2 反應(yīng)溫度對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.1.3 S/Cd摩爾比對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.1.4 不同DCB/DMSO體積比對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.1.5 磷酸酯基化P3HT/CdS對(duì)金屬離子的熒光檢測(cè)研究
3.2.2 羧酸基化P3HT/CdS納米復(fù)合材料的分析表征
3.2.2.1 機(jī)理探討及相關(guān)結(jié)構(gòu)表征
3.2.2.2 反應(yīng)溫度對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.2.3 S/Cd摩爾比對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.2.4 不同DCB/DMSO體積比對(duì)產(chǎn)物的影響
3.2.2.5 羧酸基化P3HT/CdS對(duì)金屬離子的熒光檢測(cè)研究
3.3 本章小結(jié)
第四章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]聚噻吩類電致變色材料的研究進(jìn)展[J]. 金珊珊,陳宏書(shū),王結(jié)良,胡志毅,朱貞. 高分子通報(bào). 2014(03)
[2]聚(3-己基噻吩)作為光譜增感層在有機(jī)太陽(yáng)電池光譜響應(yīng)增強(qiáng)中的應(yīng)用[J]. 吳振武,劉揚(yáng),韋尚江,黃訓(xùn),張東煜,周明,陳立桅,馬昌期,王華. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2013(08)
[3]納米晶/聚合物太陽(yáng)能電池[J]. 付紅紅,欒偉玲,袁斌霞,涂善東. 化學(xué)進(jìn)展. 2012(09)
[4]合成方法對(duì)聚(3-己基噻吩)立構(gòu)規(guī)整度的影響[J]. 翟天亮,謝林,彭民樂(lè),周星紅,夏和生,費(fèi)國(guó)霞. 化工新型材料. 2011(09)
[5]聚噻吩及其衍生物、聚噻吩基復(fù)合材料的導(dǎo)電性能研究進(jìn)展[J]. 杜永,蔡克峰. 材料導(dǎo)報(bào). 2010(21)
[6]聚(3-己基噻吩)的合成與表征[J]. 周星紅,夏和生. 高分子材料科學(xué)與工程. 2010(05)
[7]基于聚噻吩衍生物的異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)能電池[J]. 甘禮華,趙麗,朱大章,劉明賢,陳龍武. 膜科學(xué)與技術(shù). 2010(02)
[8]噻吩類電致發(fā)光材料的能級(jí)結(jié)構(gòu)及光電性能研究[J]. 肖英勃,祁爭(zhēng)健,孫岳明,虞婧,何艷芳. 材料導(dǎo)報(bào). 2008(06)
[9]導(dǎo)電高分子電致變色材料及其在飛行器和軍事偽裝中的應(yīng)用[J]. 方鯤,毛衛(wèi)民,吳其曄,劉文言,敖明. 宇航材料工藝. 2004(02)
[10]有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化材料研究進(jìn)展[J]. 肖明艷,陳建敏. 高分子材料科學(xué)與工程. 2001(05)
碩士論文
[1]不同取代聚噻吩衍生物的合成與表征[D]. 顧永強(qiáng).西安工業(yè)大學(xué) 2014
[2]基于硫化鎘(CdS)納米結(jié)構(gòu)的有序本體異質(zhì)結(jié)雜化太陽(yáng)能電池[D]. 南亞雄.浙江大學(xué) 2012
本文編號(hào):3548721
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