發(fā)布時間：2021-11-28 20:37

　　納米材料具有優(yōu)異的物理、化學性能在許多領(lǐng)域都有廣泛的應用。實際上納米材料的制備有非常多的方法,但也存在可生產(chǎn)材料范圍較小、對反應條件的要求較高、如高溫高壓等缺點。開發(fā)一種簡便快速、產(chǎn)物結(jié)晶度好的納米材料合成方法對于納米材料的研究十分關(guān)鍵。因此,研究制備納米材料的新方法具有非常重要的意義。在本篇論文中,選取硅化物、金屬鋅化物納米材料作為研究對象,采用直流電弧法以SiO₂、Si粉為原料制備了硅化物納米線、以Zn粉、S粉和Se粉為原料制備了Zn S孿晶納米帶和ZnSe空心微米球,并對這些材料的形貌組分與性能進行了分析與表征。通過紫外、光致發(fā)光分析發(fā)現(xiàn)由于硅的結(jié)構(gòu)缺陷,硅納米材料在光電器件中有潛在的應用價值。ZnS孿晶納米帶由于其獨特的結(jié)構(gòu),改變半導體的能帶結(jié)構(gòu),并極大地影響半導體的電子特性,這種特殊的納米結(jié)構(gòu)可能在光電子領(lǐng)域得到應用。ZnSe空心微米球發(fā)光性能研究表明,在636 nm處表現(xiàn)出強烈的紅色發(fā)射,在80℃以下表現(xiàn)出溫敏發(fā)射,且隨著溫度的升高幾乎保持不變。為了進一步的研究,論文的最后還對直流電弧法制備納米結(jié)構(gòu)進行了深層的分析。 

【文章來源】：渤海大學遼寧省

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

直流電弧反應室的結(jié)構(gòu)示意圖

α-Si3N4納米線的X射線衍射譜

α-Si3N4納米線的EDS圖

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3525104