研究了高密度聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料的屏蔽性能和力學(xué)性能,通過屏蔽仿真比較了密度及碳化硼（B₄C）含量對屏蔽性能的影響,通過試驗比較了B₄C含量對屏蔽性能、彎曲強度及沖擊強度的影響。仿真結(jié)果表明,隨聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料密度升高,快中子屏蔽性能下降,熱中子屏蔽性能和γ屏蔽性能提高;保持聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料密度不變,隨B₄C含量的提高,中子屏蔽性能提高而γ屏蔽性能下降;實驗數(shù)據(jù)表明,隨B₄C含量的升高,高密度聚乙烯/鉛硼材料的快中子屏蔽性能、熱中子屏蔽性能升高,γ屏蔽系數(shù)下降,沖擊強度和彎曲強度下降明顯,屏蔽性能測試結(jié)果和仿真結(jié)果規(guī)律性相符;綜合仿真結(jié)果和實驗數(shù)據(jù)表明,含B₄C 2%左右的高密度聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料同時具有較好的屏蔽性能和力學(xué)性能。 

【文章來源】：中國塑料. 2020,34(01)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

中子屏蔽性能仿真模型

采用超級蒙卡SUPERMC建立γ屏蔽性能三維仿真模型，如圖2所示。γ輻射源為60Co點源，經(jīng)屏蔽裝置準(zhǔn)直后從準(zhǔn)直口照射到屏蔽材料，屏蔽材料后方50 cm處設(shè)置計數(shù)球，分別計算有、無屏蔽測試樣板時γ注量，然后按式（4）計算γ屏蔽系數(shù)，通過γ屏蔽系數(shù)比較屏蔽性能的優(yōu)劣，屏蔽系數(shù)高的材料屏蔽性能較好。式中Kγ——γ屏蔽系數(shù)

通過仿真計算數(shù)據(jù)比較密度對鉛硼聚乙烯的γ屏蔽性能的影響，如圖4所示。隨鉛硼聚乙烯密度上升，γ屏蔽性能呈線性上升。圖4 仿真計算密度對聚乙烯/鉛硼復(fù)合材料γ屏蔽性能的影響

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]鉛硼聚乙烯復(fù)合材料的制備及性能研究[D]. 何潘婷.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2017



本文編號：3498540