低維MAPbI 3 鈣鈦礦的制備及其高壓研究
發(fā)布時(shí)間:2021-10-30 10:19
近年來,有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦作為一種光電材料受到廣泛關(guān)注。MAPbI3具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率,高量子產(chǎn)率,低制造成本和顯著的光吸收性能,并已廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管、激光器、太陽能電池和光電探測器等領(lǐng)域。MAPbI3的光電轉(zhuǎn)換特性取決于其吸光能力,帶隙越小,太陽光中大于禁帶寬度的光子就會(huì)越多,可吸收的光子能量范圍越寬,光吸收能力越強(qiáng),光電轉(zhuǎn)化特性會(huì)越好。因此,進(jìn)一步減小該材料的帶隙可以有效地提高其光電轉(zhuǎn)化性能。高壓能夠有效地壓縮原子間距、調(diào)節(jié)電子軌道的重疊程度,是除化學(xué)組分和溫度以外可以獨(dú)立影響物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性能的另外一個(gè)參量。維度也是調(diào)控材料帶隙和性能的一個(gè)重要參量。將低維和高壓技術(shù)相結(jié)合,研究MAPbI3結(jié)構(gòu)和性能的改變,有助于獲得帶隙更小的,光電性能更優(yōu)異的MAPbI3納米材料。本論文選擇有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦MAPbI3作為研究對(duì)象,對(duì)材料合成條件進(jìn)行優(yōu)化,探索MAPbI3鈣鈦礦形貌的轉(zhuǎn)變以及對(duì)光電器件性能的影響,并采用高壓手段研究MAPbI3
【文章來源】:河南大學(xué)河南省
【文章頁數(shù)】:89 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
(a)鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖,(b)通過共享八面體頂點(diǎn)形成的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)[28]
第一章緒論5圖1-2MAPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)的透射電鏡圖[43]然后用一定量的DMF/IPA混合溶液反噬鈣鈦礦薄膜,利用不同的旋涂轉(zhuǎn)速得到不同直徑大小的納米線(圖1-3)。天津大學(xué)ZhangBin教授使用含鉛的前驅(qū)體納米線作為模板和CH3NH3Br和HBr共存的異丙醇溶液中一起生長,制備出形貌均勻高質(zhì)量多孔的CH3NH3PbBr3納米線[44](圖1-4)。此方法可以在前驅(qū)體納米線的基礎(chǔ)上利用有機(jī)成分的溶解導(dǎo)致納米線表面出現(xiàn)孔洞,而且一維納米線的形態(tài)依然保留。這些形貌均一的納米線因具有良好的光學(xué)性能可用于納米級(jí)光電器件的研究。圖1-3MAPbI3鈣鈦礦納米線在相同濃度(300μLofDMFin3mLofIPA)不同轉(zhuǎn)速下的掃描電鏡圖以及尺寸分布圖[22]
第一章緒論5圖1-2MAPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)的透射電鏡圖[43]然后用一定量的DMF/IPA混合溶液反噬鈣鈦礦薄膜,利用不同的旋涂轉(zhuǎn)速得到不同直徑大小的納米線(圖1-3)。天津大學(xué)ZhangBin教授使用含鉛的前驅(qū)體納米線作為模板和CH3NH3Br和HBr共存的異丙醇溶液中一起生長,制備出形貌均勻高質(zhì)量多孔的CH3NH3PbBr3納米線[44](圖1-4)。此方法可以在前驅(qū)體納米線的基礎(chǔ)上利用有機(jī)成分的溶解導(dǎo)致納米線表面出現(xiàn)孔洞,而且一維納米線的形態(tài)依然保留。這些形貌均一的納米線因具有良好的光學(xué)性能可用于納米級(jí)光電器件的研究。圖1-3MAPbI3鈣鈦礦納米線在相同濃度(300μLofDMFin3mLofIPA)不同轉(zhuǎn)速下的掃描電鏡圖以及尺寸分布圖[22]
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高壓下有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦CH3NH3PbI3的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)研究[J]. 郭宏偉,劉然,王玲瑞,崔金星,宋波,王凱,劉冰冰,鄒勃. 物理學(xué)報(bào). 2017(03)
博士論文
[1]有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料的制備及其在光電器件中的應(yīng)用[D]. 張;.南京大學(xué) 2018
碩士論文
[1]有機(jī)—無機(jī)雜化鈣鈦礦CH3NH3PbI3的高壓結(jié)構(gòu)演變與光學(xué)性質(zhì)研究[D]. 郭宏偉.吉林大學(xué) 2018
本文編號(hào):3466556
【文章來源】:河南大學(xué)河南省
【文章頁數(shù)】:89 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
(a)鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖,(b)通過共享八面體頂點(diǎn)形成的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)[28]
第一章緒論5圖1-2MAPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)的透射電鏡圖[43]然后用一定量的DMF/IPA混合溶液反噬鈣鈦礦薄膜,利用不同的旋涂轉(zhuǎn)速得到不同直徑大小的納米線(圖1-3)。天津大學(xué)ZhangBin教授使用含鉛的前驅(qū)體納米線作為模板和CH3NH3Br和HBr共存的異丙醇溶液中一起生長,制備出形貌均勻高質(zhì)量多孔的CH3NH3PbBr3納米線[44](圖1-4)。此方法可以在前驅(qū)體納米線的基礎(chǔ)上利用有機(jī)成分的溶解導(dǎo)致納米線表面出現(xiàn)孔洞,而且一維納米線的形態(tài)依然保留。這些形貌均一的納米線因具有良好的光學(xué)性能可用于納米級(jí)光電器件的研究。圖1-3MAPbI3鈣鈦礦納米線在相同濃度(300μLofDMFin3mLofIPA)不同轉(zhuǎn)速下的掃描電鏡圖以及尺寸分布圖[22]
第一章緒論5圖1-2MAPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)的透射電鏡圖[43]然后用一定量的DMF/IPA混合溶液反噬鈣鈦礦薄膜,利用不同的旋涂轉(zhuǎn)速得到不同直徑大小的納米線(圖1-3)。天津大學(xué)ZhangBin教授使用含鉛的前驅(qū)體納米線作為模板和CH3NH3Br和HBr共存的異丙醇溶液中一起生長,制備出形貌均勻高質(zhì)量多孔的CH3NH3PbBr3納米線[44](圖1-4)。此方法可以在前驅(qū)體納米線的基礎(chǔ)上利用有機(jī)成分的溶解導(dǎo)致納米線表面出現(xiàn)孔洞,而且一維納米線的形態(tài)依然保留。這些形貌均一的納米線因具有良好的光學(xué)性能可用于納米級(jí)光電器件的研究。圖1-3MAPbI3鈣鈦礦納米線在相同濃度(300μLofDMFin3mLofIPA)不同轉(zhuǎn)速下的掃描電鏡圖以及尺寸分布圖[22]
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高壓下有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦CH3NH3PbI3的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)研究[J]. 郭宏偉,劉然,王玲瑞,崔金星,宋波,王凱,劉冰冰,鄒勃. 物理學(xué)報(bào). 2017(03)
博士論文
[1]有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料的制備及其在光電器件中的應(yīng)用[D]. 張;.南京大學(xué) 2018
碩士論文
[1]有機(jī)—無機(jī)雜化鈣鈦礦CH3NH3PbI3的高壓結(jié)構(gòu)演變與光學(xué)性質(zhì)研究[D]. 郭宏偉.吉林大學(xué) 2018
本文編號(hào):3466556
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