以改進的Hummers法制備還原氧化石墨烯（RGO）,以RGO和堿式硫酸鎂晶須（MHSHw）為填料,采用機械球磨法制備RGO/MHSHw/PVC復合粉料,經平板硫化機熱壓成型得三相復合板材。考察了RGO和MHSHw對復合材料電阻率、阻燃性能及力學性能的影響。結果表明:RGO具有很好的片層結構和導電性;當MHSHw添加量為5%,RGO添加量為1%時,RGO/MHSHw/PVC復合板材的表面電阻率為4×106Ω/square,比純PVC下降8個數量級,達到了商業(yè)抗靜電效果,拉伸強度達到最大值17.61 MPa,比純PVC提高了44.04%,復合板材氧指數>33%,具有阻燃性能,得到力學性能優(yōu)良兼具有抗靜電和阻燃性能的復合材料。 

【文章來源】：塑料科技. 2020,48(03)北大核心

【文章頁數】：6 頁

【部分圖文】：

GO和RGO的FTIR圖

圖2為石墨、GO和RGO的XRD圖，石墨在2θ=26.48°，即石墨(002)面衍射峰處出現非常強的衍射峰，根據布拉格方程公式：2dsinθ=nλ(d為晶面間距，θ為衍射角，n為衍射級數，λ為靶波長)計算得到石墨的層間距d為0.336 nm。GO在2θ=10.56°出現GO的(001)面衍射峰，石墨的衍射峰消失，說明石墨晶型被破壞，生成新的GO晶型結構。根據布拉格方程計算得到GO層間距為0.836 nm,GO的層間距相對于石墨明顯增大，這是因為石墨被氧化后片層間插入羥基、羧基、環(huán)氧基和其他含氧官能團，致使其層間距變大，這與紅外分析結果一致。RGO在2θ=20°～30°范圍內出現一個小突起，類似石墨的衍射峰，表明GO晶型結構已消失，且其層間距比石墨大，比GO小，表明GO已經發(fā)生高度層離，得到了片狀RGO[24]。2.3 石墨烯SEM圖

圖3為石墨、GO和RGO的SEM圖，從圖3可以看出，石墨多為小的塊狀結構，經氧化以后其層間插入大量含氧官能團，變?yōu)閹в旭薨櫰瑢咏Y構的GO，其片層較厚，再經水合肼還原得到的RGO,RGO形貌變?yōu)閹в旭薨櫢〉钠瑺罱Y構，其結構與文獻報道一致[25]。這種結構有助于其更好的與高分子材料進行接觸。2.4 石墨烯粉末電阻率測試

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3463600