發(fā)布時間：2021-10-23 06:54

　　隨著電子信息科學技術(shù)與航空航天技術(shù)向高密度組裝技術(shù)飛速發(fā)展,導致大量的能量產(chǎn)生并積累在電子設備中,將會對電子設備的工作效率及使用壽命產(chǎn)生負面的影響。因此,為了保障電子設備的正常高效工作,需要能將積累的能量快速散出的高導熱性能的聚合物材料。本文以氮化硼（BN）片填充聚碳酸酯（PC）以及納米氮化硼球（BNNS球）、納米氮化硼-銀球（BNNS-Ag球）填充環(huán)氧樹脂（Epoxy）,制備具有高導熱性能的復合材料。首先,我們通過的熱壓工藝制備了內(nèi)部含有取向排列BN的PC復合材料,從而在復合材料體系內(nèi)部最大程度上形成有序的導熱網(wǎng)絡,為聲子的傳遞提供通道。X射線衍射和掃描電子顯微鏡的表征說明BN片在復合材料內(nèi)部形成高度取向的排布,形成了有效的導熱通路。在氮化硼片填充體積分數(shù)為18.7%時,復合材料的導熱系數(shù)達到了 3.09 Wm^-1K^-1,相比于PC提高了 1371%。同時,通過對其的熱紅外成像表征,結(jié)果表明,HoBN/PC復合材料具有很好的散熱效果。此外,取向排列BN復合材料抵抗阻力變形的性能明顯增強,復合材料的儲能模量達到了 4.26×10^9<... 

【文章來源】：安徽大學安徽省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２．２氮化硼片的尺寸分布??

ｖｏｌ％）?ａｎｄ?ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ?ｅｎｌａｒｇｅｄ?ｖｉｅｗ?ｏｕｔｌｉｎｅｄ?ｉｎ?ｔｈｅ?ｗｈｉｔｅ?ｒｅｃｔａｎｇｌｅ?ａｒｅａ．??為了進一步驗證ＢＮ片在ＰＣ內(nèi)部的取向程度，我們運用ＸＲＤ對ＨｏＢＮ／ＰＣ??復合材料進行了表征，如圖２．４所示。２６．９°和４１．７°的兩個峰位分別對應六方氮??化硼的（００２）和（１００）晶面。（１００）晶面的衍射峰與六方ＢＮ的六方晶面垂直。如果??在復合材料中氮化硼片呈水平排布，即與六方氮化硼的六方晶面平行，那么ＸＲＤ??圖譜中（００２）峰的衍射峰強度會降低，而（１００）晶面的衍射峰強度會增加。我們對??取向ＢＮ片的ＰＣ復合材料（１８．７?ｖｏｌ％）進行了豎直和水平兩個方向的ＸＲＤ表征，??其中水平方向與ＢＮ片的取向平行。圖２．４的數(shù)據(jù)顯示，當樣品的ＸＲＤ表征方??向從豎直變?yōu)樗綍r，（００２）晶面的衍射峰強度降低。然而，當樣品的ＸＲＤ表征??方向為豎直的時候

ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ．?（ｂ，ｃ）?Ｔｈｅ?ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｉｌｌｕｓｔｒａｔｉｏｎｓ?ｏｆ?ｔｈｅ?Ｘ－ｒａｙ?ａｎｄ?ｔｈｅ?ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ??２．３．２復合材料的導熱性能??圖２．５ａ為ＨｏＢＮ／ＰＣ和ＲｏＢＮ／ＰＣ復合材料在＋同填料含量下的導熱系數(shù)，??可以看出隨著填料含量的增加，ＨｏＢＮ／ＰＣ和ＲｏＢＮ／ＰＣ復合材料的導熱系數(shù)都呈??現(xiàn)上升的趨勢。此外，ＨｏＢＮ／ＰＣ復合材料的平面導熱系數(shù)比ＲｏＢＮ／ＰＣ復合材料??提高得更快。因為相比于ＲｏＢＮ／ＰＣ復合材料，熱壓工藝可以更高效率也提高ＢＮ??片在ＢＮ／ＰＣ復合材料中相互接觸面積，從而有效增加復合材料內(nèi)部的導熱通道，??提高復合材料體系的導熱系數(shù)１８１］。當填料含量為１８．７?ｖｏｌ％時，ＨｏＢＮ／ＰＣ復合材??料的平面內(nèi)導熱系數(shù)為３．０９?ＷｎＴ１?１Ｃ１，然而ＲｏＢＮ／ＰＣ復合材料的平面內(nèi)導熱系??數(shù)僅為０．％?Ｗｎｒ１�。蓿薄Ｆ矫鎯�(nèi)導熱系數(shù)的巨大差異突出了?ＢＮ片取向的重要性。??為了進一步說明ＢＮ的取向?qū)τ谔岣邚秃喜牧蠈嵯禂?shù)的優(yōu)勢，我們計算了復介??材料導熱系數(shù)的單位體積提高效率（；／）

【參考文獻】：
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