雙曲超材料及其傳感器研究進(jìn)展
發(fā)布時(shí)間:2021-10-09 18:50
超材料為具有超常電磁性質(zhì)的人工結(jié)構(gòu),因擁有自然界材料沒有的介電常數(shù)、磁導(dǎo)率和折射率等電磁性質(zhì)而引起人們的關(guān)注。雙曲超材料是具有強(qiáng)各向異性介電張量或磁導(dǎo)率張量的介質(zhì),其介電常數(shù)張量或磁導(dǎo)率張量的分量在一個(gè)或兩個(gè)空間方向上為負(fù),與其他類型的超材料相比,雙曲超材料具有在光學(xué)頻率下相對容易制造、寬帶非共振和三維體響應(yīng)以及靈活的波長可調(diào)諧性等優(yōu)點(diǎn)。本文綜述了雙曲超材料的特性、實(shí)現(xiàn)方法、可調(diào)諧及活性以及其作為超靈敏傳感器的發(fā)展,重點(diǎn)討論了基于金屬/介質(zhì)多層結(jié)構(gòu)及金屬納米線陣列的雙曲超材料作為生物傳感器的原理及研究進(jìn)展,并指出雙曲超材料傳感器發(fā)展的長期目標(biāo)是結(jié)構(gòu)簡單、便于制備、寬頻帶和多元分析。
【文章來源】:材料工程. 2020,48(06)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:9 頁
【部分圖文】:
圖1 雙曲超材料的等頻線(雙曲線)和各向
目前,雙曲超材料的實(shí)現(xiàn)方法有兩種:亞波長厚度的介質(zhì)層和金屬層交替排列的疊層,稱為多層結(jié)構(gòu);嵌入電介質(zhì)基體中的金屬納米線陣列,稱為納米線陣列。雙曲超材料的示意圖如圖2所示[9]。根據(jù)等效介質(zhì)理論(effective medium theory,EMT)[19],這些結(jié)構(gòu)可以得到雙曲線性質(zhì)的介電張量。1.2.1 多層結(jié)構(gòu)
圖3給出了用濺射技術(shù)制造的質(zhì)量優(yōu)異的Si-Ag多層HMMs[23]。圖3中白色為Si,黑色為Ag,形成了周期性結(jié)構(gòu)。Ag和Si的厚度分別為12.4 nm和2.6 nm,體積填充率大約為83%。多層HMMs組成材料的選擇取決于目標(biāo)光譜范圍、損耗和阻抗匹配。為了實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,εd0和εm0的絕對值相差不能超過一個(gè)數(shù)量級(此時(shí),來自介質(zhì)側(cè)的輻射被反射而不是傳播)。Ag和Au的等離子體頻率在紫外區(qū),分別為2224.3 THz和2151.7 THz(9.2 eV和8.9 eV)[24]。當(dāng)頻率低于這些值時(shí),其介電常數(shù)變?yōu)樨?fù)值,并隨著頻率的逐漸降低而增大。在整個(gè)紫外和可見光區(qū)域,一方面金屬的損耗有限,另一方面,相對較小的εm0可以與弱吸收介質(zhì)(Al2O3和TiO2等)的εd0相匹配,因此可以選擇金屬。在紅外頻段,金屬的介電常數(shù)實(shí)部為絕對值很大的負(fù)值,從而導(dǎo)致阻抗與其他介質(zhì)不匹配。因此,需要用半導(dǎo)體來代替銀和金,半導(dǎo)體的等離子體頻率在紅外區(qū),且可以通過摻雜來調(diào)節(jié)[24]。1.2.2 納米線陣列
本文編號:3426820
【文章來源】:材料工程. 2020,48(06)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:9 頁
【部分圖文】:
圖1 雙曲超材料的等頻線(雙曲線)和各向
目前,雙曲超材料的實(shí)現(xiàn)方法有兩種:亞波長厚度的介質(zhì)層和金屬層交替排列的疊層,稱為多層結(jié)構(gòu);嵌入電介質(zhì)基體中的金屬納米線陣列,稱為納米線陣列。雙曲超材料的示意圖如圖2所示[9]。根據(jù)等效介質(zhì)理論(effective medium theory,EMT)[19],這些結(jié)構(gòu)可以得到雙曲線性質(zhì)的介電張量。1.2.1 多層結(jié)構(gòu)
圖3給出了用濺射技術(shù)制造的質(zhì)量優(yōu)異的Si-Ag多層HMMs[23]。圖3中白色為Si,黑色為Ag,形成了周期性結(jié)構(gòu)。Ag和Si的厚度分別為12.4 nm和2.6 nm,體積填充率大約為83%。多層HMMs組成材料的選擇取決于目標(biāo)光譜范圍、損耗和阻抗匹配。為了實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,εd0和εm0的絕對值相差不能超過一個(gè)數(shù)量級(此時(shí),來自介質(zhì)側(cè)的輻射被反射而不是傳播)。Ag和Au的等離子體頻率在紫外區(qū),分別為2224.3 THz和2151.7 THz(9.2 eV和8.9 eV)[24]。當(dāng)頻率低于這些值時(shí),其介電常數(shù)變?yōu)樨?fù)值,并隨著頻率的逐漸降低而增大。在整個(gè)紫外和可見光區(qū)域,一方面金屬的損耗有限,另一方面,相對較小的εm0可以與弱吸收介質(zhì)(Al2O3和TiO2等)的εd0相匹配,因此可以選擇金屬。在紅外頻段,金屬的介電常數(shù)實(shí)部為絕對值很大的負(fù)值,從而導(dǎo)致阻抗與其他介質(zhì)不匹配。因此,需要用半導(dǎo)體來代替銀和金,半導(dǎo)體的等離子體頻率在紅外區(qū),且可以通過摻雜來調(diào)節(jié)[24]。1.2.2 納米線陣列
本文編號:3426820
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