銀納米線網(wǎng)格低溫連接方法及其透明電磁屏蔽膜性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-10-05 17:41
銀納米線薄膜因其潛在的優(yōu)良導(dǎo)電性、透光性和柔韌性,被認(rèn)為是當(dāng)前氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電薄膜的最佳替代材料。然而,隨著銀納米線密度的提高帶來(lái)的薄膜導(dǎo)電性的增強(qiáng),將不可避免地導(dǎo)致薄膜透光性的下降。因此,需從材料尺寸、分布和連接情況等方面考慮,提升銀納米線薄膜的透明、導(dǎo)電綜合性能。本論文通過(guò)設(shè)計(jì)、優(yōu)化銀納米線的分布,并對(duì)銀納米線搭接節(jié)點(diǎn)進(jìn)行后處理,獲得了具有優(yōu)異透明導(dǎo)電綜合性能的銀納米線單層網(wǎng)格薄膜。將優(yōu)化后的單層薄膜應(yīng)用于多層結(jié)構(gòu)薄膜中,制備出性能優(yōu)異的柔性透明電磁屏蔽膜,并對(duì)其作用機(jī)理進(jìn)行研究。本文采用改進(jìn)的多元醇法,通過(guò)調(diào)控工藝參數(shù),成功制得具有不同長(zhǎng)徑比的銀納米線,并研究了銀納米線尺寸對(duì)所形成薄膜的透明導(dǎo)電性能的影響。隨著銀納米線長(zhǎng)徑比的提高,銀線搭接節(jié)點(diǎn)數(shù)量的減少,所得薄膜的透明導(dǎo)電性能隨之提升。當(dāng)所用銀納米線的長(zhǎng)徑比從140提高到777時(shí),在薄膜方阻同為25Ω/sq的情況下,薄膜的透光率將從66.5%提高至91.2%。通過(guò)設(shè)計(jì)網(wǎng)格圖案對(duì)銀納米線的分布進(jìn)行優(yōu)化,研究了網(wǎng)格形狀、尺寸及網(wǎng)洞面積占比對(duì)銀納米線網(wǎng)格圖案薄膜透明導(dǎo)電性能的影響,并利用激光刻蝕/熱壓轉(zhuǎn)印工藝制備出具有相應(yīng)網(wǎng)...
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:129 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
閃光白光與短波紫外線焊接銀納米線工藝原理圖[115]
圖 1-8 銀納米線/離子凝膠復(fù)合柔性透明導(dǎo)電薄膜制備工藝示意圖[122] Fig.1-8 Schematic diagram of preparation process of flexible transparent conducting AgNWs/ionic gel composite film d)c)
哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位論文-20-合薄膜的透光率和電磁干擾屏蔽特性。并以三層薄膜為例,分析了電磁屏蔽效能與薄膜導(dǎo)電性之間的關(guān)系,解釋了多層復(fù)合膜可以提高薄膜電磁屏蔽效能的原因。并證明了銀納米線多層網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在高效透明電磁干擾屏蔽中的成功應(yīng)用。本文的研究思路如圖1-11所示。圖1-11課題研究思路圖Fig.1-11Routediagramofthesubjuctresearch
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Silver Nanowire Electrodes: Conductivity Improvement Without Post-treatment and Application in Capacitive Pressure Sensors[J]. Jun Wang,Jinting Jiu,Teppei Araki,Masaya Nogi,Tohru Sugahara,Shijo Nagao,Hirotaka Koga,Peng He,Katsuaki Suganuma. Nano-Micro Letters. 2015(01)
[2]Joining of Individual Silver Nanowires via Electrical Current[J]. Arash Vafaei,Anming Hu,Irene A.Goldthorpe. Nano-Micro Letters. 2014(04)
[3]由Kelvin方程推導(dǎo)出微小顆粒的熔點(diǎn)與半徑的關(guān)系[J]. 王世良,周楊韜,侯麗珍,賀躍輝. 湖南理工學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2008(03)
[4]電磁屏蔽與吸波材料[J]. 劉順華,郭輝進(jìn). 功能材料與器件學(xué)報(bào). 2002(03)
碩士論文
[1]銀納米線柔性透明導(dǎo)電薄膜自組裝制備與性能[D]. 濮丹鳳.南京郵電大學(xué) 2016
[2]銀納米線柔性透明導(dǎo)電膜的制備及其光電、機(jī)械性能研究[D]. 陳翠玉.江蘇大學(xué) 2016
[3]銀納米線的制備及其在柔性導(dǎo)電膜中的應(yīng)用[D]. 王嬌羽.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2014
本文編號(hào):3420224
【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校
【文章頁(yè)數(shù)】:129 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
閃光白光與短波紫外線焊接銀納米線工藝原理圖[115]
圖 1-8 銀納米線/離子凝膠復(fù)合柔性透明導(dǎo)電薄膜制備工藝示意圖[122] Fig.1-8 Schematic diagram of preparation process of flexible transparent conducting AgNWs/ionic gel composite film d)c)
哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位論文-20-合薄膜的透光率和電磁干擾屏蔽特性。并以三層薄膜為例,分析了電磁屏蔽效能與薄膜導(dǎo)電性之間的關(guān)系,解釋了多層復(fù)合膜可以提高薄膜電磁屏蔽效能的原因。并證明了銀納米線多層網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在高效透明電磁干擾屏蔽中的成功應(yīng)用。本文的研究思路如圖1-11所示。圖1-11課題研究思路圖Fig.1-11Routediagramofthesubjuctresearch
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Silver Nanowire Electrodes: Conductivity Improvement Without Post-treatment and Application in Capacitive Pressure Sensors[J]. Jun Wang,Jinting Jiu,Teppei Araki,Masaya Nogi,Tohru Sugahara,Shijo Nagao,Hirotaka Koga,Peng He,Katsuaki Suganuma. Nano-Micro Letters. 2015(01)
[2]Joining of Individual Silver Nanowires via Electrical Current[J]. Arash Vafaei,Anming Hu,Irene A.Goldthorpe. Nano-Micro Letters. 2014(04)
[3]由Kelvin方程推導(dǎo)出微小顆粒的熔點(diǎn)與半徑的關(guān)系[J]. 王世良,周楊韜,侯麗珍,賀躍輝. 湖南理工學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2008(03)
[4]電磁屏蔽與吸波材料[J]. 劉順華,郭輝進(jìn). 功能材料與器件學(xué)報(bào). 2002(03)
碩士論文
[1]銀納米線柔性透明導(dǎo)電薄膜自組裝制備與性能[D]. 濮丹鳳.南京郵電大學(xué) 2016
[2]銀納米線柔性透明導(dǎo)電膜的制備及其光電、機(jī)械性能研究[D]. 陳翠玉.江蘇大學(xué) 2016
[3]銀納米線的制備及其在柔性導(dǎo)電膜中的應(yīng)用[D]. 王嬌羽.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2014
本文編號(hào):3420224
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