超材料中單向無反射和非互易完美吸收性質(zhì)的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-09-09 06:12
近十幾年來隨著超材料的問世,超材料展示出了眾多自然界所沒有的奇異現(xiàn)象,其在負(fù)折射、隱形斗篷、完美透鏡和完美吸收等方面具有廣闊的應(yīng)用前景,因而引起了研究者們的極大關(guān)注。其中一個(gè)重要的應(yīng)用是通過設(shè)計(jì)材料特定幾何結(jié)構(gòu)和尺寸達(dá)到控制電磁響應(yīng)的目的超材料完美吸收器。與傳統(tǒng)完美吸收器的區(qū)別在于,超材料完美吸收器通過適當(dāng)?shù)乜刂齐婍憫?yīng)和磁響應(yīng)使結(jié)構(gòu)與自由空間的阻抗達(dá)到匹配,從而使反射降低至0,同時(shí)利用對(duì)超材料結(jié)構(gòu)響應(yīng)的耗散消除透射實(shí)現(xiàn)接近于100%的完美吸收。超材料另一個(gè)最新的應(yīng)用是充當(dāng)宇稱-時(shí)間(PT)媒介,相關(guān)理論被稱為PT對(duì)稱理論,于1998年由Bender等人提出。隨著PT媒介的迅速發(fā)展,其在光學(xué)波導(dǎo)、完美腔吸收器激光器、微波腔吸收器和共振器,特別是超材料等各種系統(tǒng)中應(yīng)用非常廣泛。本文基于超材料中的一對(duì)共振器耦合提出了一個(gè)實(shí)現(xiàn)雙窄帶完美吸收等離子傳感器的方案。方案中,雙共振峰的吸收率在臂長(zhǎng)為270 nm時(shí)超過了95%,在臂長(zhǎng)290 nm時(shí)超過了98%。在這兩種情況下雙吸收峰的半高寬均為3(低頻處)和5%(高頻處),此外本文還證明了該超材料完美吸收器可以作為一個(gè)等離子傳感器實(shí)現(xiàn)折射率傳感,當(dāng)臂長(zhǎng)...
【文章來源】:延邊大學(xué)吉林省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:67 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1:產(chǎn)生磁和電響應(yīng)的兩個(gè)典型起材料單元圖??
據(jù)Bender等人在1998年提出的研宄,當(dāng)e?>?0時(shí),這些哈密頓的所有本征值均為正??實(shí)數(shù);當(dāng)e<0時(shí),其本征值為復(fù)數(shù)I11!。因此,稱e?20時(shí)是未破壞的PT對(duì)稱參數(shù)??域,e?<?0時(shí)是破壞的PT對(duì)稱參數(shù)域(圖2.2)。??■?-?|?'??19?/ft??r??17:叫I?1?j?/?/.??-ffj//?/■??13:?V//?/?/?■??I11:?/?/??5?:i???,?;???|?,?i?,???-1012?3??e??圖2.2:以實(shí)參數(shù)e為函數(shù)的哈密頓//?=?jīng)海o(hù)(這)E的能級(jí)??2.3完美吸收器??超材料完美吸收器由SRR陣列、電介質(zhì)和基板組成,其中電介質(zhì)被夾??在SRR陣列和基板之間。超材料的高阻抗表面使入射波的反射率為1,且在超材??料表面產(chǎn)生了強(qiáng)電場(chǎng)。超材料外表面上電阻片的存在導(dǎo)致了入射波在反射回來之??前吸收了入射能量。因此該吸收器滿足了其他現(xiàn)有吸收器(如索爾茲伯里屏)相同??的需求關(guān),且它具有薄的優(yōu)點(diǎn)。最初的理論預(yù)測(cè)要求介質(zhì)層的厚度遠(yuǎn)小于操作波??長(zhǎng)。??7??
—>Hr??圖2.3:兩端口光學(xué)系統(tǒng)的散射矩陣S??異常點(diǎn)處的單向無反射可以用一個(gè)一般的兩端口散射系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn),如圖2.3??所示,該系統(tǒng)的光學(xué)性能由散射矩陣S描述,其定義式為??/?\?(?\?(?\?(?\??Ht?t?rb?Hi??=S?=?,?(2.11)??yf?^?J?J??其中,//t和i/g分別是左右端口入射模式下的復(fù)磁場(chǎng)振幅,町和分別是??左右端口出射模式下的復(fù)磁場(chǎng)振幅。t是復(fù)透射系數(shù),77和A是光從左(向前??8??
本文編號(hào):3391580
【文章來源】:延邊大學(xué)吉林省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:67 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2.1:產(chǎn)生磁和電響應(yīng)的兩個(gè)典型起材料單元圖??
據(jù)Bender等人在1998年提出的研宄,當(dāng)e?>?0時(shí),這些哈密頓的所有本征值均為正??實(shí)數(shù);當(dāng)e<0時(shí),其本征值為復(fù)數(shù)I11!。因此,稱e?20時(shí)是未破壞的PT對(duì)稱參數(shù)??域,e?<?0時(shí)是破壞的PT對(duì)稱參數(shù)域(圖2.2)。??■?-?|?'??19?/ft??r??17:叫I?1?j?/?/.??-ffj//?/■??13:?V//?/?/?■??I11:?/?/??5?:i???,?;???|?,?i?,???-1012?3??e??圖2.2:以實(shí)參數(shù)e為函數(shù)的哈密頓//?=?jīng)海o(hù)(這)E的能級(jí)??2.3完美吸收器??超材料完美吸收器由SRR陣列、電介質(zhì)和基板組成,其中電介質(zhì)被夾??在SRR陣列和基板之間。超材料的高阻抗表面使入射波的反射率為1,且在超材??料表面產(chǎn)生了強(qiáng)電場(chǎng)。超材料外表面上電阻片的存在導(dǎo)致了入射波在反射回來之??前吸收了入射能量。因此該吸收器滿足了其他現(xiàn)有吸收器(如索爾茲伯里屏)相同??的需求關(guān),且它具有薄的優(yōu)點(diǎn)。最初的理論預(yù)測(cè)要求介質(zhì)層的厚度遠(yuǎn)小于操作波??長(zhǎng)。??7??
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