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原位生長SiC納米線及其在SiC f /SiC復(fù)合材料中的應(yīng)用

發(fā)布時間:2021-09-04 22:28
  SiCf/SiC復(fù)合材料具有低密度、高比強(qiáng)度、高比模量、耐高溫、耐腐蝕和低中子輻射誘導(dǎo)活性等諸多優(yōu)異性能,在航空航天、核聚變反應(yīng)堆等領(lǐng)域上的應(yīng)用日趨廣泛。然而,SiC基復(fù)合材料應(yīng)用于高溫結(jié)構(gòu)部件,其力學(xué)性能還有待進(jìn)一步提高。SiC納米線有著比相同成分的塊體材料高得多的強(qiáng)度和模量,將其作為增強(qiáng)體引入SiCf/SiC復(fù)合材料中,對提高其強(qiáng)韌性具有巨大潛力。本文以聚碳硅烷(PCS)等先驅(qū)體為原料,通過化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝首先在KD-Ⅱ型SiC纖維編織件中原位生長SiC納米線,然后采用先驅(qū)體浸漬裂解工藝(PIP)制備了SiC納米線增強(qiáng)的SiCf/SiC復(fù)合材料。首先對CVD法制備SiC納米線工藝進(jìn)行了改進(jìn),隨后采用催化劑輔助法制備SiC納米線,研究了化學(xué)改性處理對在SiC纖維編織件中引入催化劑及生長SiC納米線的影響。系統(tǒng)研究了CVD工藝中不同參數(shù)對生長SiC納米線的影響,探討了SiC納米線的生長機(jī)理。研究了將SiC納米線作為增強(qiáng)體引入復(fù)合材料中對其力學(xué)性能的影響并分析了其作用機(jī)理。不對編織件做任何處理,采用先驅(qū)體直接裂解... 

【文章來源】:國防科技大學(xué)湖南省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:83 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

原位生長SiC納米線及其在SiC f /SiC復(fù)合材料中的應(yīng)用


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高溫部件,推力室,機(jī)翼,燃燒室


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核聚變反應(yīng)堆,結(jié)構(gòu)示意圖,聚變堆,包層材料


圖 1.3 核聚變反應(yīng)堆結(jié)構(gòu)示意圖想的核聚變反應(yīng)堆包層材料,安全可靠高效的 SiCf/S較先進(jìn)聚變堆概念計中頗受矚目,如美國的 ARIES-I、念。維/基體界面層

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]SiC納米線的制備及其發(fā)光性能的研究[J]. 張恩磊,王國勝,張本貴,王祝敏,張翔.  銅業(yè)工程. 2013(06)
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[3]SiC/SiC復(fù)合材料及其應(yīng)用[J]. 李崇俊.  高科技纖維與應(yīng)用. 2013(03)
[4]SiC納米線改性環(huán)氧樹脂研究[J]. 和麗芳,郝雅娟.  山西大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2011(02)
[5]SiC/SiC復(fù)合材料及其在航空發(fā)動機(jī)上的應(yīng)用[J]. 胡海峰,張玉娣,鄒世欽,周新貴,張長瑞.  航空制造技術(shù). 2010(06)
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[8]硅熱蒸發(fā)法制備SiC納米線及其結(jié)構(gòu)表征[J]. 吳玲玲,吳仁兵,楊光義,陳建軍,翟蕊,林晶,潘頤.  浙江大學(xué)學(xué)報(工學(xué)版). 2008(03)
[9]聚合物先驅(qū)體熱解制備超長SiC納米線[J]. 李公義,李效東,王浩,方慶玲.  稀有金屬材料與工程. 2008(S1)
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博士論文
[1]碳化硅和氮化硅超長納米線的制備與性能研究[D]. 李公義.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2010
[2]改性聚甲基硅烷系列SiC陶瓷先驅(qū)體的研究[D]. 劉琳.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2008

碩士論文
[1]原位生長碳納米管及其在SiCf/SiC復(fù)合材料中的應(yīng)用[D]. 孫科.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2010



本文編號:3384122

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