采用高溫?zé)嵴翦兎椒ㄌ幚碓诮饎偸砻驽兏采狭薙iO₂/SiC晶粒復(fù)合涂層,同時(shí)研究了熱處理溫度和Al助劑對金剛石表面形成SiO₂/SiC晶粒復(fù)合涂層的影響。研究結(jié)果表明,在較低溫度（1400℃）,金剛石表面形成許多SiC和SiO₂和SiC顆粒。當(dāng)溫度升高到1450℃時(shí),金剛石表面鍍覆了良好的SiO₂/SiC復(fù)合涂層,形成了許多SiO₂和SiC顆粒、微米棒與晶須。Si粉中添加適量的Al（5 mass%）就會促進(jìn)Si的蒸發(fā),在1400℃時(shí)金剛石表面就會形成大量的SiO₂和SiC顆粒、微米棒與晶須。 

【文章來源】：材料熱處理學(xué)報(bào). 2016,37(07)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)材料及方法
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]金剛石自支撐膜襯底生長立方Y(jié)2O3薄膜的性能[J]. 王猛,李成明,陳良賢,劉金龍,郭建超,魏俊俊,黑立富,呂反修.  材料熱處理學(xué)報(bào). 2014(07)



本文編號：3376523