共混法制備的雙極型有機(jī)薄膜晶體管性能及傳感特性的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-25 00:49
隨著新型高性能、高溶解性有機(jī)半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),溶液法被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)大面積、低成本、高性能柔性印刷電子的最有效方法。純的有機(jī)半導(dǎo)體材料性能單一,應(yīng)用范圍較窄,為了開發(fā)材料的新性能,滿足各個(gè)方面的應(yīng)用,與絕緣物共混的方法因易操作,低成本等優(yōu)點(diǎn)被廣泛使用。目前,溶液共混絕緣物的研究中主要使用的是聚噻吩類第二代有機(jī)半導(dǎo)體材料,第三代高性能D-A型共軛聚合物在共混體系中的相行為尚不明確,限制了這類材料的應(yīng)用范圍。本論文研究了D-A型半導(dǎo)體PBIBDF-BT與不同絕緣物共混中的相行為,以及制備的器件性能和傳感特性,主要內(nèi)容與工作如下:(1)研究了D-A型半導(dǎo)體PBIBDF-BT與不同絕緣物共混中的相行為和對(duì)器件性能的影響。原子力顯微鏡的表征結(jié)果證明:PBIBDF-BT可以與高分子量的聚苯乙烯(PS,Mn=140000 g/mol)共混制備出超薄的半導(dǎo)體膜,與低分子量的聚己二酸丁二醇酯(PBA,Mn=2000g/mol)共混制備出多孔的半導(dǎo)體膜。器件性能測(cè)試結(jié)果發(fā)現(xiàn):與PS的共混體系中,半導(dǎo)體濃度在2 mg/mL以下時(shí),器件的空穴性能隨半導(dǎo)體濃度的增加而增加,與PBA的共混體系中,器件空穴和電子性能隨...
【文章來源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.?1有機(jī)薄膜晶體管的四種結(jié)構(gòu)示意圖:(a)底柵底接觸(BGBC),?(b)底柵頂接觸??
semiconductors,?Insulator?for?organic?insulators,?and?N/A?representatives?not?reported.??一般來說,采用兩種方式來保持晶體管中半導(dǎo)體層的連通性,第一種方式是??采用垂直相分離的方式,形成半導(dǎo)體層與絕緣層分層的方式,其中主要有圖1.4??中的三種結(jié)構(gòu)的復(fù)合半導(dǎo)體層,圖a半導(dǎo)體層在上面,絕緣層在下面的結(jié)構(gòu),圖??b絕緣層在上面,半導(dǎo)體層在下面,圖c中從上而下形成了半導(dǎo)體層、絕緣層、??半導(dǎo)體層三層結(jié)構(gòu)。第二種方式利用絕緣材料誘導(dǎo)半導(dǎo)體材料形成納米纖維網(wǎng)絡(luò),??如圖d。下面將討論近些年
上半導(dǎo)體層在下的結(jié)構(gòu)。溶解性對(duì)相分離的影響也已經(jīng)被系統(tǒng)的研究過,采用的??絕緣材料是PS,半導(dǎo)體材料采用的是P3AT,R-P3DDT,?R-P3HT,P3BT和P3DDT[68】。??圖1.5中總結(jié)了物質(zhì)表面能和溶解性對(duì)混合體系中相行為的影響,a圖表現(xiàn)??出在親水基底上,親水物質(zhì)更容易向下運(yùn)動(dòng),在疏水基底上,親水物質(zhì)更容易向??上運(yùn)動(dòng);b圖表現(xiàn)了在普通的基底上,溶解性差的更容易析出在底部。??10??
本文編號(hào):3361051
【文章來源】:合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.?1有機(jī)薄膜晶體管的四種結(jié)構(gòu)示意圖:(a)底柵底接觸(BGBC),?(b)底柵頂接觸??
semiconductors,?Insulator?for?organic?insulators,?and?N/A?representatives?not?reported.??一般來說,采用兩種方式來保持晶體管中半導(dǎo)體層的連通性,第一種方式是??采用垂直相分離的方式,形成半導(dǎo)體層與絕緣層分層的方式,其中主要有圖1.4??中的三種結(jié)構(gòu)的復(fù)合半導(dǎo)體層,圖a半導(dǎo)體層在上面,絕緣層在下面的結(jié)構(gòu),圖??b絕緣層在上面,半導(dǎo)體層在下面,圖c中從上而下形成了半導(dǎo)體層、絕緣層、??半導(dǎo)體層三層結(jié)構(gòu)。第二種方式利用絕緣材料誘導(dǎo)半導(dǎo)體材料形成納米纖維網(wǎng)絡(luò),??如圖d。下面將討論近些年
上半導(dǎo)體層在下的結(jié)構(gòu)。溶解性對(duì)相分離的影響也已經(jīng)被系統(tǒng)的研究過,采用的??絕緣材料是PS,半導(dǎo)體材料采用的是P3AT,R-P3DDT,?R-P3HT,P3BT和P3DDT[68】。??圖1.5中總結(jié)了物質(zhì)表面能和溶解性對(duì)混合體系中相行為的影響,a圖表現(xiàn)??出在親水基底上,親水物質(zhì)更容易向下運(yùn)動(dòng),在疏水基底上,親水物質(zhì)更容易向??上運(yùn)動(dòng);b圖表現(xiàn)了在普通的基底上,溶解性差的更容易析出在底部。??10??
本文編號(hào):3361051
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