共混法制備的雙極型有機薄膜晶體管性能及傳感特性的研究
發(fā)布時間:2021-08-25 00:49
隨著新型高性能、高溶解性有機半導體材料的出現(xiàn),溶液法被認為是實現(xiàn)大面積、低成本、高性能柔性印刷電子的最有效方法。純的有機半導體材料性能單一,應用范圍較窄,為了開發(fā)材料的新性能,滿足各個方面的應用,與絕緣物共混的方法因易操作,低成本等優(yōu)點被廣泛使用。目前,溶液共混絕緣物的研究中主要使用的是聚噻吩類第二代有機半導體材料,第三代高性能D-A型共軛聚合物在共混體系中的相行為尚不明確,限制了這類材料的應用范圍。本論文研究了D-A型半導體PBIBDF-BT與不同絕緣物共混中的相行為,以及制備的器件性能和傳感特性,主要內(nèi)容與工作如下:(1)研究了D-A型半導體PBIBDF-BT與不同絕緣物共混中的相行為和對器件性能的影響。原子力顯微鏡的表征結果證明:PBIBDF-BT可以與高分子量的聚苯乙烯(PS,Mn=140000 g/mol)共混制備出超薄的半導體膜,與低分子量的聚己二酸丁二醇酯(PBA,Mn=2000g/mol)共混制備出多孔的半導體膜。器件性能測試結果發(fā)現(xiàn):與PS的共混體系中,半導體濃度在2 mg/mL以下時,器件的空穴性能隨半導體濃度的增加而增加,與PBA的共混體系中,器件空穴和電子性能隨...
【文章來源】:合肥工業(yè)大學安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:80 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.?1有機薄膜晶體管的四種結構示意圖:(a)底柵底接觸(BGBC),?(b)底柵頂接觸??
semiconductors,?Insulator?for?organic?insulators,?and?N/A?representatives?not?reported.??一般來說,采用兩種方式來保持晶體管中半導體層的連通性,第一種方式是??采用垂直相分離的方式,形成半導體層與絕緣層分層的方式,其中主要有圖1.4??中的三種結構的復合半導體層,圖a半導體層在上面,絕緣層在下面的結構,圖??b絕緣層在上面,半導體層在下面,圖c中從上而下形成了半導體層、絕緣層、??半導體層三層結構。第二種方式利用絕緣材料誘導半導體材料形成納米纖維網(wǎng)絡,??如圖d。下面將討論近些年
上半導體層在下的結構。溶解性對相分離的影響也已經(jīng)被系統(tǒng)的研究過,采用的??絕緣材料是PS,半導體材料采用的是P3AT,R-P3DDT,?R-P3HT,P3BT和P3DDT[68】。??圖1.5中總結了物質表面能和溶解性對混合體系中相行為的影響,a圖表現(xiàn)??出在親水基底上,親水物質更容易向下運動,在疏水基底上,親水物質更容易向??上運動;b圖表現(xiàn)了在普通的基底上,溶解性差的更容易析出在底部。??10??
本文編號:3361051
【文章來源】:合肥工業(yè)大學安徽省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:80 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.?1有機薄膜晶體管的四種結構示意圖:(a)底柵底接觸(BGBC),?(b)底柵頂接觸??
semiconductors,?Insulator?for?organic?insulators,?and?N/A?representatives?not?reported.??一般來說,采用兩種方式來保持晶體管中半導體層的連通性,第一種方式是??采用垂直相分離的方式,形成半導體層與絕緣層分層的方式,其中主要有圖1.4??中的三種結構的復合半導體層,圖a半導體層在上面,絕緣層在下面的結構,圖??b絕緣層在上面,半導體層在下面,圖c中從上而下形成了半導體層、絕緣層、??半導體層三層結構。第二種方式利用絕緣材料誘導半導體材料形成納米纖維網(wǎng)絡,??如圖d。下面將討論近些年
上半導體層在下的結構。溶解性對相分離的影響也已經(jīng)被系統(tǒng)的研究過,采用的??絕緣材料是PS,半導體材料采用的是P3AT,R-P3DDT,?R-P3HT,P3BT和P3DDT[68】。??圖1.5中總結了物質表面能和溶解性對混合體系中相行為的影響,a圖表現(xiàn)??出在親水基底上,親水物質更容易向下運動,在疏水基底上,親水物質更容易向??上運動;b圖表現(xiàn)了在普通的基底上,溶解性差的更容易析出在底部。??10??
本文編號:3361051
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/3361051.html
最近更新
教材專著