發(fā)布時(shí)間：2021-08-24 23:12

　　金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）納米材料的研究和應(yīng)用近年來(lái)得到了巨大的發(fā)展,未來(lái),隨著電子信息化技術(shù)的深入研究,MOS納米材料將會(huì)具有更大的應(yīng)用價(jià)值和潛力。氧化銦納米材料作為MOS的一員,在光敏、氣敏半導(dǎo)體元器件中具有廣泛應(yīng)用。本文通過(guò)化學(xué)氣相沉積法（CVD）,分別在不同的溫度、時(shí)間等條件下合成出氧化銦納米材料。通過(guò)XRD表征圖譜,發(fā)現(xiàn)其主要成分為立方相氧化銦,通過(guò)SEM觀察其具體的形貌狀態(tài),主要有納米線、八面體等形貌,通過(guò)TEM表征其生長(zhǎng)方向和結(jié)晶度等性質(zhì)。進(jìn)一步通過(guò)光刻和鍍膜工藝將所合成的氧化銦納米線制備成FET半導(dǎo)體器件,運(yùn)用光電測(cè)試平臺(tái)測(cè)試其在不同電壓下的IV曲線以分析其電學(xué)性能;測(cè)試其在不同波長(zhǎng)光照條件下的響應(yīng)曲線以及同一波長(zhǎng)光照下的弛豫曲線,從而分析其光學(xué)性能。在此基礎(chǔ)之上,對(duì)碲化銦納米材料進(jìn)行了初步研究。通過(guò)化學(xué)氣相沉積法,首先嘗試用碲化銦化合物作為單源前驅(qū)體,合成出形貌均勻的碲化銦納米磚以及少量碲化銦納米線,通過(guò)其XRD表征發(fā)現(xiàn)其與InTe標(biāo)準(zhǔn)譜相符。后續(xù)嘗試用碲粉和銦粉混合物作為多源前驅(qū)體參與氣相反應(yīng),調(diào)控溫度、壓強(qiáng)、氣流等實(shí)驗(yàn)參數(shù),得到不同形貌的碲化銦納米材料。在低溫下,... 

【文章來(lái)源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：66 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

高溫管式爐Fig.2-1Thehigh-temperaturetubefurnace

圖 2-2 管式爐溫度分布曲線Fig. 2-2 The distribution of tube furnace temperature所用的氣流控制系統(tǒng)是通過(guò)三通閥與石英管一端相連，另一端連體控制柜，實(shí)驗(yàn)所需的氣體如氫氣、氬氣、氧氣、氮?dú)獾扔蛇M(jìn)氣制柜，通過(guò)氣體控制柜中的混氣罐混合均勻后，由出氣口通入石種氣體的流量由質(zhì)量流量計(jì)精確控制，精度為 0.1 sccm。依靠該氣將各種所需的氣體精確、便捷的通入管式爐參與反應(yīng)，方便實(shí)驗(yàn)驗(yàn)的可靠性。外光刻及鍍膜技術(shù)便于測(cè)試材料的光電性能，需要通過(guò)紫外光刻及鍍膜技術(shù)將實(shí)驗(yàn)作成半導(dǎo)體器件，然后才能通過(guò)光電測(cè)試平臺(tái)測(cè)試其光電性能，題組的紫外光刻及鍍膜技術(shù)。

然后將充分顯影的襯底取出并用氮?dú)庖恢碌囊r底是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，要想制作工藝相結(jié)合。鍍膜儀，如圖 2-4 所示，其外接空壓機(jī)組所用的鍍膜儀為加拿大 AE Nexdep鍍膜兩種不同的方式蒸鍍。我們通常電子束加熱具有更高的通量密度，可以堝用來(lái)放置不同金屬或化合物作為蒸鍍電腦控制系統(tǒng)控制整個(gè)鍍膜過(guò)程，只需沉積，操作更為簡(jiǎn)便。同時(shí)，沉積層過(guò)程在真空下進(jìn)行，反應(yīng)前后以氮?dú)狻?


本文編號(hào)：3360906