高硅Sip/Al基復(fù)合材料以其高熱導(dǎo)率（TC）,低熱膨脹系數(shù)（CTE）以及低密度等性能特點(diǎn),成為一種新型的電子封裝材料。開展高硅Sip/Al復(fù)合材料常壓燒結(jié)的粉末冶金工藝研究,對于該新型電子封裝材料的低成本制備,擴(kuò)展其應(yīng)用領(lǐng)域具有重要意義。本論文采用常壓燒結(jié)工藝制備了30 wt%、50 wt%Sip/6061Al基復(fù)合材料,基于不同工藝條件下復(fù)合材料顯微組織及性能的研究,優(yōu)化高硅Sip/6061Al基復(fù)合材料粉末冶金工藝。壓制壓力的提高有助于高硅Sip/6061Al復(fù)合材料壓坯致密化,但壓制壓力過大,導(dǎo)致Sip解理碎裂。研究確定高硅Sip/6061Al復(fù)合材料壓坯的最佳壓制壓力為400 MPa。采用球磨混料,常壓燒結(jié)制備的高硅Sip/6061Al基復(fù)合材料中分Sip間相互連接,形成較粗大的Si晶區(qū),且隨Si含量的增加,Sip在Al合金基體中形成半連續(xù)的骨架。高硅Sip/6061Al復(fù)合材料雜質(zhì)含量少,其致密度和抗彎強(qiáng)度隨燒結(jié)溫度的升高呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢。30 wt%、50 wt%Sip/6061Al復(fù)合材料的致密度、抗彎強(qiáng)度、布氏硬度和CTE分別達(dá)到97%、326 MPa、200 ... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

電子封裝殼體和蓋板[7]

合肥工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文Osprey 公司采用噴射沉積和熱等靜壓等方法制備出的 Si勻，具備優(yōu)良性能。Chien 采用壓力浸滲法也制備出了性裝復(fù)合材料[34]。我國眾多學(xué)者也對高硅 Sip/Al 電子封裝復(fù)合材料進(jìn)行了ang 等[36]均采用噴射沉積法制備出了性能較好的 Al-70S壓鑄造加熱壓工藝制備出了綜合性能優(yōu)良的 65wt%Sip/A用無壓滲透法制備出的(60-81wt%)Sip/Al 復(fù)合材料也具備法

圖 1.3 噴射沉積原理示意圖[30]Fig.1.3 Schematic diagram of spray depositionprey 公司在上世界七十年代首先將噴射沉積應(yīng)用于工業(yè)成 Osprey 工藝。Osprey 公司在 2000 年首先利用噴射cm，質(zhì)量 20 kg 的 70wt%Sip/Al 復(fù)合材料產(chǎn)品。其中 S內(nèi)。這種產(chǎn)品能用普通的刀具進(jìn)行加工，并且可以在g 等[43,44]。表 1.2 Osprey 公司高硅 Sip/Al 復(fù)合材料的主要性能[30].2 Main properties of high Si volume Sip/Al composites developed Si 含量(wt%)熱膨脹系數(shù)×10-6/℃，20-500℃熱導(dǎo)率W/(m·K)70 7 120 60 9 129.4 50 11 149

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3355208