隨著石墨烯火熱研究和廣泛運(yùn)用,類石墨烯結(jié)構(gòu)的二維材料也得到了人們的廣泛關(guān)注,其中以對(duì)二硫化鉬（MoS2）的研究最為火熱。因?yàn)槎蚧f獨(dú)特的"三明治"結(jié)構(gòu)和物化特性,在光電器件、催化、儲(chǔ)能等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。獲得二硫化鉬的方法主要有微機(jī)械剝離法、化學(xué)氣相沉積（CVD）法、水熱法等等,其中CVD法是制得單層單晶二硫化鉬的主要化學(xué)方法,但是該方法制備單層單晶二硫化鉬的苛刻條件和低的重復(fù)率嚴(yán)重限制其長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展,本文在簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)和環(huán)境制備了大尺寸單層多晶二硫化鉬,同時(shí)表現(xiàn)出不俗的光電性能。此外,二硫化鉬有比一般氧化物高的離子電導(dǎo)率,以及比一般石墨高的理論比容量,從而廣泛的應(yīng)用于超級(jí)電容器陰極材料,但是由于純的二硫化鉬不高的實(shí)際比容量,庫(kù)倫效率和循環(huán)穩(wěn)定性使得難以滿足實(shí)際需求,因此我們用水熱法制備了二硫化鉬與介孔碳球的復(fù)合材料來(lái)提高它的電化學(xué)性質(zhì)。本文主要分為四章,第一章主要介紹了二硫化鉬的結(jié)構(gòu)、價(jià)帶、生長(zhǎng)和制備方法,以及在電子器件、光電器件、儲(chǔ)能以及光催化領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。第二章主要介紹了本工作的所使用的儀器設(shè)備、實(shí)驗(yàn)材料以及對(duì)實(shí)驗(yàn)樣品的表征方法和電化學(xué)測(cè)試。第三章主要介紹了用水熱法制備了紅... 

【文章來(lái)源】：安徽大學(xué)安徽省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：66 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 MoS_2的基本特性
        1.2.1 MoS_2的基本結(jié)構(gòu)
        1.2.2 MoS_2的價(jià)態(tài)結(jié)構(gòu)
    1.3 MoS_2的生長(zhǎng)與制備
        1.3.1 "自上而下"法
        1.3.2 "自下而上"法
    1.4 MoS_2的應(yīng)用
        1.4.1 電子器件
        1.4.2 光電器件
        1.4.3 傳感器
        1.4.4 儲(chǔ)能材料
        1.4.5 光催化
    1.5 本文的思路以及內(nèi)容
    參考文獻(xiàn)
第二章 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與表征
    2.1 實(shí)驗(yàn)材料與儀器
    2.2 材料表征
        2.2.1 X射線衍射分析(XRD)
        2.2.2 掃描電子顯微鏡(SEM)
        2.2.3 透射電子顯微鏡(TEM)
        2.2.4 拉曼光譜分析(Raman)
        2.2.5 比表面積和孔徑分析儀(BET)
        2.2.6 原子力顯微鏡(AFM)
    2.3 電化學(xué)性能測(cè)試
        2.3.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
        2.3.2 循環(huán)伏安測(cè)試(CV)
        2.3.3 恒電流充放電測(cè)試(GCD)
第三章 水熱合成紅毛丹狀MoS_2/碳球介孔復(fù)合物及其超級(jí)電容器性能研究
    3.1 引言
    3.2 MoS_2/Cs復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備
        3.2.1 介孔碳球的制備
        3.2.2 紅毛丹狀硫化鉬/碳球(MoS_2/Cs)的復(fù)合材料的制備
    3.3 材料表征
        3.3.1 XRD表征分析
        3.3.2 樣品的形貌表征
        3.3.3 BET測(cè)試
    3.4 電化學(xué)性能測(cè)試
        3.4.1 電極的制備
        3.4.2 CV測(cè)試
        3.4.3 GCD測(cè)試
        3.4.4 循環(huán)穩(wěn)定性測(cè)試
        3.4.5 交流阻抗測(cè)試(EIS)測(cè)試
    3.5 總結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第四章 單層多晶二硫化鉬的生長(zhǎng)以及光電性質(zhì)
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
        4.2.1 Si/SiO_2基底的清洗
        4.2.2 單層多晶二硫化鉬制備
    4.3 材料表征
        4.3.1 OM和SEM表征
        4.3.2 Raman測(cè)試
        4.3.3 AFM測(cè)試
        4.3.4 TEM測(cè)試
    4.4 輸出特性測(cè)試
        4.4.1 合成單層多晶二硫化鉬光探測(cè)器
        4.4.2 電子特性測(cè)試
        4.4.3 光響應(yīng)測(cè)試
    4.5 總結(jié)
    參考文獻(xiàn)
致謝
碩士期間發(fā)表的論文



本文編號(hào)：3351063