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軟模板法制備BN納米材料

發(fā)布時(shí)間:2021-08-14 01:29
  本文采用三步合成法,首先氟硼酸銨為氮源,以硼氫化鈉為硼源,在1,4-二氧六環(huán)液相體系中制備前驅(qū)體,即氨硼烷澄清溶液。然后,量取一定量的上述溶液和軟模板劑(PEG2000、PEG4000、PEG20000、十八胺、SDS)溶液,倒入高壓釜中,封裝高壓釜進(jìn)行160℃溶劑熱處理,倒入旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀蒸干,得到白色粉體。最后,將上述粉體導(dǎo)入到管式爐來進(jìn)行不同溫度下的氨熱處理(700℃、800℃、900℃、1000℃),再放進(jìn)馬弗爐里700℃下空氣中煅燒處理,得到最終的氮化硼樣品。采用PL,XRD,FTIR,SEM對氮化硼樣品進(jìn)行表征。本文就氮化硼納米材料制備方法一問題提出了三部分研究內(nèi)容:溶劑熱處理,軟模板劑輔助合成以及氨熱處理。并分別討論了軟模板劑在制備步驟中的作用機(jī)理。首先,溶劑熱處理階段,在1,4-二氧六環(huán)液相體系中,以聚乙二醇、十八胺和SDS為軟模板劑以非共價(jià)鍵方式與前驅(qū)體結(jié)合,得到一種非晶態(tài)的雜化體。氨熱處理階段,雜化體吸收足夠熱能,并在軟模板劑的作用下,誘導(dǎo)六方氮化硼的成核和生長,促進(jìn)結(jié)晶過程的進(jìn)行,同時(shí),軟模板劑中的部分C原子和O原子以共價(jià)鍵的形式結(jié)合在BN骨架上,形成了C-N鍵和N-... 

【文章來源】:河北工業(yè)大學(xué)天津市 211工程院校

【文章頁數(shù)】:70 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 氮化硼的結(jié)構(gòu)
    1.2 氮化硼納米材料的性質(zhì)與應(yīng)用
    1.3 氮化硼納米材料的制備方法
        1.3.1 溶劑熱合成法
        1.3.2 氣相沉積法
        1.3.3 高溫?zé)峤夥?br>        1.3.4 模板法
    1.4 BN基納米材料的發(fā)光
    1.5 本課題的研究目的與意義
        1.5.1 研究目的和意義
        1.5.2 主要研究內(nèi)容
        1.5.3 研究方案
        1.5.4 創(chuàng)新性
第二章 實(shí)驗(yàn)與表征
    2.1 實(shí)驗(yàn)儀器及廠家
    2.2 實(shí)驗(yàn)藥品以及廠家
    2.3 產(chǎn)物表征方法
        2.3.1 X射線衍射儀(XRD)
        2.3.2 掃描電子顯微鏡(SEM)
        2.3.3 傅里葉變換紅外光譜(FTIR)
        2.3.4 熒光光譜(PL)
第三章 軟模板法輔助制備高結(jié)晶度納米氮化硼
    3.1 實(shí)驗(yàn)方法
        3.1.1 實(shí)驗(yàn)工藝流程
        3.1.2 實(shí)驗(yàn)過程
    3.2 前驅(qū)體表征和分析
        3.2.1 前驅(qū)體的XRD分析
        3.2.2 前驅(qū)體的FTIR分析
    3.3 PEG模板法輔助
        3.3.1 制備雜化體方法的影響
            3.3.1.1 不同雜化方法的XRD分析
            3.3.1.2 不同雜化方法的SEM分析
        3.3.2 不同氨熱處理溫度的影響
            3.3.2.1 不同氨熱處理溫度的XRD分析
            3.3.2.2 不同氨熱處理溫度的SEM分析
        3.3.3 模板劑的用量
            3.3.3.1 PEG2000不同用量的XRD分析
            3.3.3.2 PEG2000不同用量的SEM分析
        3.3.4 PEG不同分子量的影響
            3.3.4.1 PEG不同分子量的XRD分析
            3.3.4.2 PEG不同分子量的SEM分析
    3.4 表面活性劑輔助合成
        3.4.1 不同氨熱處理溫度的影響
            3.4.1.1 不同氨熱處理溫度的XRD分析
            3.4.1.2 不同氨熱處理溫度的SEM分析
        3.4.2 表面活性劑的用量
            3.4.2.1 十八胺不同用量的XRD分析
            3.4.2.2 十八胺不同用量的SEM分析
        3.4.3 不同表面活性劑的影響
            3.4.3.1 不同表面活性劑的XRD分析
            3.4.3.2 不同表面活性劑的SEM分析
    3.5 本章小結(jié)
第四章 氮化硼納米材料的發(fā)光
    4.1 PEG2000輔助合成樣品
        4.1.1 PEG2000輔助合成樣品的XRD分析
        4.1.2 PEG2000輔助合成樣品的FTIR分析
        4.1.3 PEG2000輔助合成樣品的PL光譜分析
    4.2 有無軟模板劑輔助合成
        4.2.1 有無軟模板劑輔助合成的FTIR分析
        4.2.2 有無軟模板劑輔助合成的熒光光譜分析
    4.3 不同分子量PEG對發(fā)光性能的影響
        4.3.1 PEG不同分子量的FTIR分析
        4.3.2 PEG不同分子量的PL譜分析
    4.4 表面活性劑對發(fā)光性能的影響
        4.4.1 不同表面活性劑的FTIR分析
        4.4.2 不同表面活性劑的PL譜分析
    4.5 本章小結(jié)
第五章 軟模板法輔助合成氮化硼的機(jī)理
第六章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間所取得的相關(guān)科研成果
致謝



本文編號:3341492

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