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FIB/SEM雙束系統(tǒng)在微納米材料電學(xué)性能測試中的應(yīng)用

發(fā)布時間:2021-08-13 19:39
  電學(xué)性能測試是微納米材料物性研究的重要組成部分,測試電極的制備是其中一個難點。光學(xué)光刻、電子束曝光或聚焦離子束加工是三種不同的電極制備技術(shù)。每種技術(shù)都有自己的特點,采用何種技術(shù)取決于微納米材料的尺寸、形態(tài)及測試目的等諸多因素。此外,選擇適當(dāng)?shù)闹茦臃椒▽罄m(xù)的電學(xué)性能測試也很關(guān)鍵。本文以一臺配備了電子束曝光功能附件的聚焦離子束(FIB)/掃描電子顯微鏡(SEM)雙束系統(tǒng)為工具,結(jié)合光學(xué)光刻等其它加工技術(shù),詳細介紹了其針對不同類型微納米材料進行電極制備的過程和方法。 

【文章來源】:電子顯微學(xué)報. 2016,35(01)CSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【文章目錄】:
1 電極制備總體過程
    1. 1 材料分散前硅片上已有電極極板
    1. 2 材料分散前硅片上沒有電極極板
2 不同類型材料的電極制備工藝
    2. 1 離子束沉積
    2. 2 電子束沉積
    2. 3 離子束沉積與電子束沉積聯(lián)合加工
    2. 4電子束曝光( electron beam lithography,EBL)
    2. 5 電子束曝光與Pt沉積功能聯(lián)合
3 各種電極制備方法的選取與特點
4 制樣方法的影響
5 結(jié)論



本文編號:3341023

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