電學(xué)性能測(cè)試是微納米材料物性研究的重要組成部分,測(cè)試電極的制備是其中一個(gè)難點(diǎn)。光學(xué)光刻、電子束曝光或聚焦離子束加工是三種不同的電極制備技術(shù)。每種技術(shù)都有自己的特點(diǎn),采用何種技術(shù)取決于微納米材料的尺寸、形態(tài)及測(cè)試目的等諸多因素。此外,選擇適當(dāng)?shù)闹茦臃椒▽?duì)后續(xù)的電學(xué)性能測(cè)試也很關(guān)鍵。本文以一臺(tái)配備了電子束曝光功能附件的聚焦離子束（FIB）/掃描電子顯微鏡（SEM）雙束系統(tǒng)為工具,結(jié)合光學(xué)光刻等其它加工技術(shù),詳細(xì)介紹了其針對(duì)不同類型微納米材料進(jìn)行電極制備的過(guò)程和方法。 

【文章來(lái)源】：電子顯微學(xué)報(bào). 2016,35(01)CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 電極制備總體過(guò)程
    1. 1 材料分散前硅片上已有電極極板
    1. 2 材料分散前硅片上沒(méi)有電極極板
2 不同類型材料的電極制備工藝
    2. 1 離子束沉積
    2. 2 電子束沉積
    2. 3 離子束沉積與電子束沉積聯(lián)合加工
    2. 4電子束曝光( electron beam lithography,EBL)
    2. 5 電子束曝光與Pt沉積功能聯(lián)合
3 各種電極制備方法的選取與特點(diǎn)
4 制樣方法的影響
5 結(jié)論



本文編號(hào)：3341023