針對Cu/金剛石復(fù)合材料表面電絕緣性差的缺點,利用多弧離子鍍技術(shù)在Cu/金剛石復(fù)合材料表面鍍AlN膜層,基體偏壓分別為-200、-300和-400 V。利用X射線衍射和掃描電鏡分析了膜層的物相和微觀組織形貌,利用激光導(dǎo)熱儀和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀分析了膜層的熱導(dǎo)率和電絕緣性。結(jié)果表明:AlN在（111）面擇優(yōu)生長,在（200）、（220）晶面取向生長。隨偏壓增加,AlN膜層顆粒先趨于細小、致密和均勻化,繼續(xù)增加偏壓則膜層內(nèi)顆粒聚集長大,并出現(xiàn)凹坑。鍍AlN膜層后,Cu/金剛石復(fù)合材料的熱導(dǎo)率無顯著變化,但其表面電絕緣性大大提升。以偏壓為-300 V時所得AlN膜層最致密均勻,電絕緣性最優(yōu)。 

【文章來源】：電鍍與涂飾. 2020,39(04)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

不同基體偏壓下離子鍍AlN膜層的表面形貌

損耗角(δ)是在交變電場下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流向量和電壓向量之間夾角的余角，可反映受潮、劣化變質(zhì)等絕緣缺陷。損耗角正切(tanδ)則是電介質(zhì)在交變電場下有功分量與無功分量之比，反映了電介質(zhì)內(nèi)單位體積的能量損耗。從圖5可以看出，當(dāng)偏壓為-200 V時，Al N膜層的損耗角正切在(7.63～7.81)×10-3之間；當(dāng)偏壓為-300 V時，損耗角正切降低至(5.69～5.79)×10-3之間；當(dāng)偏壓為-400 V時，損耗角正切又上升到(6.37～7.31)×10-3之間。損耗角正切的變化與Al N膜層的晶粒尺寸、致密度、缺陷等因素密切相關(guān)。Al N膜層內(nèi)部顆粒尺寸隨偏壓增加先趨于均勻細小且致密性增加，但偏壓過高時膜層內(nèi)部顆粒粗大，并出現(xiàn)凹坑等缺陷，膜層質(zhì)量降低，因此損耗角正切隨著偏壓的增大而先減小再增大。圖5 不同基體偏壓下離子鍍AlN膜層的損耗角正切與頻率的關(guān)系

不同基體偏壓下離子鍍AlN膜層的損耗角正切與頻率的關(guān)系

【參考文獻】：
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本文編號：3316331