發(fā)布時(shí)間：2021-07-29 21:01

　　高介電特性材料在電氣及電子工程領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景,例如可用于儲(chǔ)能電容器及嵌入式電容器。在新時(shí)期能源利用領(lǐng)域,儲(chǔ)能器件的輕量化、微型化和特殊用途需求對(duì)材料的介電特性提出更高的要求,希望能獲得兼有高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)及易加工等綜合性能良好的介電材料體系。隨著納米復(fù)合技術(shù)的發(fā)展,高介電陶瓷-聚合物類復(fù)合材料引起了越來(lái)越多的關(guān)注。本文圍繞鈦酸銅鈣(CaCu₃Ti₄O₁₂)無(wú)機(jī)陶瓷填料進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提升聚偏氟乙烯（PVDF）基復(fù)合介質(zhì)的介電性能及儲(chǔ)能特性。在微/納米CaCu₃Ti₄O₁₂/PVDF復(fù)合介質(zhì)的研究中,利用溶膠凝膠-燃燒法制備微米級(jí)CaCu₃Ti₄O₁₂（CCTO）顆粒,水熱合成法制備納米級(jí)CCTO顆粒,微/納米CCTO顆粒均能提高PVDF基復(fù)合材料的相對(duì)介電常數(shù)。通過(guò)化學(xué)鍍鎳法合成微米CCTO@Ni填充相,在溶液涂覆法制備中施加磁場(chǎng)處理獲得高相對(duì)介電常數(shù)的CCTO@... 

【文章來(lái)源】：哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省

【文章頁(yè)數(shù)】：138 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

CCTO顆粒的制備工藝流程圖

圖 2-2 CCTO@Ni MP 的制備流程圖Fig. 2-2 Flow diagram for the preparation of CCTO@Ni MP首先，按照填料濃度為 20g/L 比例量取一定量的 CCTO 粉體，浸入無(wú)水中超聲清洗 30min 后，再將粉體浸入到粗化液中浸泡 30min，經(jīng)去離子水清洗至中性后完成粗化過(guò)程。其次，將粗化后的粉體浸入到敏化夜中浸min 后，經(jīng)去離子水反復(fù)清洗至中性后完成敏化過(guò)程。然后，將敏化后的浸入到活化夜中浸泡 30min，經(jīng)去離子水反復(fù)清洗至中性后 80℃烘干完成過(guò)程。最后，將活化后的粉體添加到鍍液中，分別鍍鎳 10min、30minmin，水浴控制鍍液溫度 92℃，電動(dòng)攪拌速率為 200r/min，通過(guò)向鍍液中 NaOH 溶液來(lái)控制 PH≈13，經(jīng)抽濾、清洗和烘干后得到鍍鎳的一系列陶瓷，標(biāo)記 CCTO@Ni MP。在預(yù)處理過(guò)程中，被粗化處理的 CCTO 顆粒表面形成許多凹坑或微孔，敏化處理后，敏化劑中的 Sn2+吸附在 CCTO 表面的凹坑或微孔中，形成具原性的催化膜。在活化處理過(guò)程中，活化劑中的 Pb2+與 Sn2+發(fā)生氧化還原，Sn2+將 Pd2+還原成 Pd 顆粒；而金屬 Pd 就是化學(xué)鍍鎳反應(yīng)中的催化劑，使 CCTO 表面形成具有自催化活性的催化中心。在化學(xué)鍍鎳過(guò)程中，水合

第 2 章 微/納米 CCTO 顆粒制備及表面修飾對(duì) PVDF 介電特性的影響2.2 CCTO 顆粒的微結(jié)構(gòu)2.2.1 CCTO 顆粒的微觀形貌為研究不同制備方法對(duì) CCTO 顆粒的形貌的影響，對(duì)溶膠凝膠-燃燒法和水熱合成法制備的 CCTO 顆粒樣品進(jìn)行微觀形貌表征，其 SEM 形貌如圖 2-3所示，其中 2-3(b)圖是在 160℃水熱反應(yīng) 8h，且 700℃燒結(jié) 1h 制備得到的。

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本文編號(hào)：3310050