Ga₂O₃是一種很重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,它有很好的熱穩(wěn)定性,且擊穿電壓高,電子漂移速度大。因此,Ga₂O₃成功地被應(yīng)用于MESFET,MOSFET,SBD等功率器件中。另外,在紫外光電器件,半導(dǎo)體激光器和太陽(yáng)能電池等方面,Ga₂O₃也是一種很有應(yīng)用前景的材料。為了實(shí)現(xiàn)高靈敏度且波長(zhǎng)可調(diào)的光電探測(cè)器,且發(fā)揮Ga₂O₃的寬禁帶特性,研究者們通過(guò)摻鋁成功提高了Ga₂O₃薄膜的禁帶寬度。本征缺陷在材料的特性上起了重要作用,然而并未有人結(jié)合本征缺陷系統(tǒng)地從理論上研究過(guò)Al摻雜Ga₂O₃。另外,由于Ga₂O₃中本征缺陷特別是氧空位的存在,本征Ga₂O₃通常呈現(xiàn)n型,而高載流子濃度的高質(zhì)量的p型Ga₂O₃的發(fā)... 

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Ga2O3的晶胞模型

第二章 理論與實(shí)驗(yàn)研究方法介紹9圖2.1 原子力顯微鏡原理示意圖(2) X 射線(xiàn)衍射(XRD)X 射線(xiàn)衍射(XRD)是一種表征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)特性的技術(shù)，通過(guò)對(duì) XRD 圖譜的衍射峰位置，峰強(qiáng)，半高寬等信息進(jìn)行研究，根據(jù) PDF 卡片，可以得到晶體的組分信息和結(jié)構(gòu)信息，如結(jié)晶情況，晶面取向，晶粒大小等。該技術(shù)的原理如圖 2.2 所示：入射到相鄰兩原子面的 X 射線(xiàn)，被原子面反射后，其光程差是波長(zhǎng)的整數(shù)倍，則干涉加強(qiáng)，相應(yīng)的布拉格公式為：2d sin n (2-1)其中，d 是晶面間距

圖2.2 XRD 原理圖曼光譜(Raman)束光照到樣品表面，會(huì)發(fā)生反射，折射，散射，吸收等現(xiàn)象。其中，過(guò)不均勻介質(zhì)時(shí)，部分光子與介質(zhì)發(fā)生碰撞改變了傳播方向。散射有性散射之分，其中非彈性散射有能量的交換。非彈性散射也分兩種，比入射光變化很�。s 0.1cm-1）,則稱(chēng)為布里淵散射；若變化很大，于拉曼散射，研究者們可以在研究分子結(jié)構(gòu)中應(yīng)用拉曼光譜分析法光譜與入射光譜，得到分子結(jié)構(gòu)相關(guān)信息。致發(fā)光譜(PL)發(fā)光(PL)指的是光激發(fā)了材料使得材料發(fā)光的現(xiàn)象。于半導(dǎo)體而言，于或大于禁帶寬度時(shí)，會(huì)激發(fā)價(jià)帶電子向?qū)кS遷。又或者禁帶中有能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶。因此，這個(gè)輻射發(fā)射的過(guò)程既可以顯示能級(jí)，雜質(zhì)能級(jí)等信息，從而鑒定材料的質(zhì)量，也可反映材料內(nèi)部

【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]Beta-氧化鎵異質(zhì)外延薄膜的制備及特性研究[D]. 弭偉.山東大學(xué) 2014
[2]4H-SiC功率UMOSFETs的設(shè)計(jì)與關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 宋慶文.西安電子科技大學(xué) 2012

碩士論文
[1]Ga2O3薄膜的磁控濺射制備及其性能研究[D]. 黃耀庭.北京郵電大學(xué) 2014



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