半導體量子點是三維尺寸都在10納米之內(nèi)的準零維材料,由于量子點擁有多種獨有的特征,例如量子尺寸效應、表面效應以及良好的熒光性能,具有半峰寬窄且對稱的熒光發(fā)射峰譜,量子點的吸收光譜相對較寬。目前在很多領域都得到了廣泛的應用,如太陽能電池、生物科學、光電子器件、顯示器等方面。本文采用的是具一步合成法,制備了一種波段可調(diào)的CdZnSe/ZnSe三元合金量子點材料。在本論文中先介紹了以氧化鎘（CdO）、醋酸鋅（Zn（Ac）₂）為原料,以油酸（OA）為配體,以及把1-十八烯（1-ODE）作為溶劑利用一步合成的方法,先后兩次注入Se制備出核殼結(jié)構(gòu)CdZnSe/Zn Se量子點。通過改變實驗條件,對工藝微調(diào),可得到一系列波長的量子點。尤其是波長為620-690 nm這一波段的合成,是對材料波譜寬度范圍的拓展,在此之前并沒有文獻報道過。為了拓展實驗制備的量子點材料的應用,實驗分別對產(chǎn)率較高的635 nm,672 nm的量子點作為發(fā)光層制備了QLED,器件外量子點效率達到6.8%。在以上實驗的基礎上,通過Se分散在ODE中而不是有毒且價格昂貴的TBP中,在不改變其他條件如溫度、注入... 

【文章來源】：南昌航空大學江西省

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

量子點溶液的發(fā)光照片（a），吸收光譜（b）和熒光光譜（c），以及各波段量子點的瞬態(tài)熒光圖譜（d）

因為 TBP 太容易在空氣中氧化，所以沒有測試 TB。IR 光譜表明，在量子點光譜中，在 ODE 紅外光譜中的 1640 cm OA 紅外光譜中的 1709 cm-1處的強 C=O 伸縮振動峰均消失不見接觸鈍化應該是成功的。表 2-2 核/殼 CdZnSe/ZnSe 量子點不同衰變通道的壽命和貢獻分數(shù)波長（nm） τ（ns） τ1（ns） τ2（ns） f1（%） f2（%）688 27 27 - 100 - 627 24 24 - 100 - 650 18 7 23 33 67 635 25 19 65 85 15 618 18 18 - 100 -

72 nm CdZnSe/ZnSe 量子點的透射電鏡圖（a），量子點包殼前后 XRD 衍射譜圖（歸一化瞬態(tài)熒光譜圖（c），包殼前后的吸收譜和發(fā)射譜圖（b）于發(fā)射峰在 672 nm 處的 CdZnSe/ZnSe 量子點，并分別對其形貌、結(jié)質(zhì)進行了表征。透射電鏡 TEM 如圖 2-4（a）所示。從包殼后量子點的 T可以看出，通過一步法合成的 672 nm 波長量子點是尺寸均一、具有六構(gòu)的圓形顆粒，粒徑大小約為 3~4 nm。圖 2-4（b）中黑色曲線為 672子點在包殼之前的 XRD 圖譜，可以看出，其在衍射角 2θ>25o時 XRD片 65-8875 相符合，在衍射角 2θ<25o時出現(xiàn)的衍射峰應該是溶液內(nèi)的成的，因此可以判斷量子點的核為立方晶型的 Cd3Zn7Se10。量子點包殼RD 圖譜為圖 2-4（b）中的紅色曲線，其衍射峰與卡片 89-2940 相符合晶體結(jié)構(gòu)的 ZnSe，這些均證實我們合成的量子點為核殼結(jié)構(gòu)e/ZnSe。這表明量子點核為立方晶體結(jié)構(gòu)并且被 ZnSe 覆蓋為六方晶體外可見吸收光譜和熒光發(fā)射光譜都用于表征了量子點的光學性質(zhì)。如所示，核/殼量子點的熒光壽命分別為 16 ns 和 24 ns。但與量子點核相比

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3302391