采用基于密度泛函理論（DFT）的第一性原理對(duì)光伏材料Cu₂ZnSnS₄ （CZTS）摻Mg進(jìn)行了研究。通過(guò)建立Mg取代CZTS中Cu、Zn和Sn的點(diǎn)缺陷結(jié)構(gòu),計(jì)算Mg摻雜缺陷的生成能及對(duì)CZTS電子結(jié)構(gòu)的影響。計(jì)算結(jié)果表明摻Mg不引入深能級(jí)缺陷也不改變材料的禁帶寬度;并且富Sn條件更有利于Mg取代Cu形成施主缺陷,使p型轉(zhuǎn)變?yōu)閚型。本研究可為CZTS太陽(yáng)能電池?fù)組g的應(yīng)用研究提供理論基礎(chǔ)。 

【文章來(lái)源】：無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2020,35(11)北大核心EISCICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【文章目錄】：
1 Computational details
2 Results and discussion
3 Conclusions


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]First principles calculation of the electronic-optical properties of Cu2MgSn(SxSe1-x)4[J]. 孫頂,丁彥妍,孔令煒,王凌群,丁柏秀,張玉紅,魏立明,張力,張立新.  Optoelectronics Letters. 2020(01)



本文編號(hào)：3283672