硅藻土功能化及其應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021-07-14 06:35
硅藻土是一種天然無(wú)機(jī)非金屬礦物材料,具有獨(dú)特的多級(jí)孔道結(jié)構(gòu),已在部分化工、建材領(lǐng)域獲得實(shí)際應(yīng)用。但硅藻土本征比表面積較小(18~28 m2/g),導(dǎo)致其應(yīng)用受限。通過(guò)對(duì)硅藻土進(jìn)行功能化改性,可以賦予硅藻土材料特定的理化性質(zhì),進(jìn)而改善其環(huán)境治理效果,同時(shí)使其有望應(yīng)用于能源及生物工程等領(lǐng)域。因此,對(duì)硅藻土進(jìn)行功能化改性處理已成為目前人們研究的熱點(diǎn)。近年來(lái),硅藻土功能化的研究主要集中于非共價(jià)修飾硅藻土、共價(jià)修飾硅藻土和對(duì)硅藻土的化學(xué)轉(zhuǎn)化三方面。非共價(jià)修飾硅藻土多為納米金屬氧化物、金屬含氧酸鹽等修飾硅藻土,合成的硅藻土復(fù)合材料主要應(yīng)用于環(huán)境治理和能源領(lǐng)域。共價(jià)修飾硅藻土主要是基于硅藻土內(nèi)硅氧四面體和表面數(shù)量眾多的硅羥基通過(guò)Si-O共價(jià)鍵連接表面功能單體。而功能單體又分為硅酸鹽和硅烷偶聯(lián)劑兩種。其中,硅烷偶聯(lián)劑一端接枝于硅藻土表面硅羥基,另一端可繼續(xù)接枝其他有機(jī)官能團(tuán),極大地豐富了硅藻土復(fù)合材料表面官能團(tuán)的種類(lèi),使其具有更加優(yōu)異的性能。共價(jià)修飾硅藻土在能源、傳感器、環(huán)境治理領(lǐng)域均有應(yīng)用。硅藻土的化學(xué)轉(zhuǎn)化則以硅藻土為硅源,將其轉(zhuǎn)化為具有硅藻土三維結(jié)構(gòu)的單質(zhì)Si,應(yīng)用于能源、生物工程領(lǐng)域。硅藻土功能...
【文章來(lái)源】:材料導(dǎo)報(bào). 2020,34(03)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:11 頁(yè)
【部分圖文】:
酪氨酸酶共價(jià)修飾羽狀硅藻土流程圖
硅藻土為硅藻土生物的遺骸,因此,硅藻土與硅藻在微觀(guān)形貌上保持一致。圖1為幾種硅藻土的掃描電鏡照片[19]。由圖1可以看出,盡管不同類(lèi)型的硅藻土外觀(guān)形貌相差較大,但同種硅藻土之間外形具有高度重復(fù)性,它們的組成構(gòu)造基本相同。Losic等[20]采用原子力顯微鏡(AFM)對(duì)硅藻土表面的有序孔道結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)研究。由圖2可以看出硅藻土表面具有大孔和小孔兩種類(lèi)型的孔結(jié)構(gòu)。其中,小孔孔徑為20~50 nm,大孔孔徑為100~300 nm,表明硅藻土具有獨(dú)特的多級(jí)孔道結(jié)構(gòu)。此外,硅藻土具有納米級(jí)天然有序孔道結(jié)構(gòu),外形具有高度重復(fù)性,使其在納米科技領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用潛力。圖2 硅藻土(a)外表面和(b)內(nèi)表面的原子力顯微鏡照片[20]
圖1 多種形狀硅藻土的掃描電鏡照片[19]硅藻土的主要成分為非晶態(tài)二氧化硅。經(jīng)X射線(xiàn)衍射分析(XRD)測(cè)試,在2θ為15~40°范圍內(nèi),硅藻土有一個(gè)“饅頭峰”,這是硅藻土內(nèi)非晶態(tài)SiO2的彌散峰;在2θ為26.6°的尖峰對(duì)應(yīng)于硅藻土內(nèi)石英的(101)晶面。硅藻土內(nèi)含豐富的SiO2,是一種廉價(jià)的硅源。由傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜(FT-IR)測(cè)試可得硅藻土內(nèi)的官能團(tuán)及成鍵情況:波數(shù)為468 cm-1和1 096 cm-1處的峰是硅藻土內(nèi)Si-O-Si鍵不對(duì)稱(chēng)伸縮振動(dòng)引起的;波數(shù)為3 435 cm-1處的紅外特征峰是硅藻土內(nèi)Si-OH和吸附水導(dǎo)致的。硅藻土表面Si-OH主要分為兩種:一種是孤立的Si-OH,另一種是通過(guò)氫鍵連接的Si-OH[21],后者使硅藻土表面顯弱酸性。表面Si-OH是硅藻土表面重要的官能團(tuán),它的存在是硅藻土通過(guò)硅烷偶聯(lián)劑接枝功能有機(jī)物實(shí)現(xiàn)硅藻土功能化的關(guān)鍵。硅藻土經(jīng)擦洗提純后表面具有相對(duì)有序的孔道結(jié)構(gòu),其比表面積約為28 m2/g。經(jīng)Zeta電位測(cè)試,硅藻土在pH=3.7附近具有等電點(diǎn)。在pH>3.7時(shí),硅藻土表面帶負(fù)電荷,對(duì)于金屬陽(yáng)離子的附著、吸附具有天然優(yōu)勢(shì)。在生物相容性方面,硅藻土的粒度和形狀均與其生物相容性有關(guān)。其中,粒度較小的圓盤(pán)藻與細(xì)胞、細(xì)菌的生物相容性最好。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]γ-AlOOH/Al2O3修飾硅藻土的制備與Cs+、Pb2+吸附性能[J]. 鄭廣偉,杜玉成,侯瑞琴,孫廣兵,王金淑,吳俊書(shū). 無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2015(05)
[2]硅藻土的研究現(xiàn)狀及進(jìn)展[J]. 劉潔,趙東風(fēng). 環(huán)境科學(xué)與管理. 2009(05)
本文編號(hào):3283620
【文章來(lái)源】:材料導(dǎo)報(bào). 2020,34(03)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:11 頁(yè)
【部分圖文】:
酪氨酸酶共價(jià)修飾羽狀硅藻土流程圖
硅藻土為硅藻土生物的遺骸,因此,硅藻土與硅藻在微觀(guān)形貌上保持一致。圖1為幾種硅藻土的掃描電鏡照片[19]。由圖1可以看出,盡管不同類(lèi)型的硅藻土外觀(guān)形貌相差較大,但同種硅藻土之間外形具有高度重復(fù)性,它們的組成構(gòu)造基本相同。Losic等[20]采用原子力顯微鏡(AFM)對(duì)硅藻土表面的有序孔道結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)研究。由圖2可以看出硅藻土表面具有大孔和小孔兩種類(lèi)型的孔結(jié)構(gòu)。其中,小孔孔徑為20~50 nm,大孔孔徑為100~300 nm,表明硅藻土具有獨(dú)特的多級(jí)孔道結(jié)構(gòu)。此外,硅藻土具有納米級(jí)天然有序孔道結(jié)構(gòu),外形具有高度重復(fù)性,使其在納米科技領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用潛力。圖2 硅藻土(a)外表面和(b)內(nèi)表面的原子力顯微鏡照片[20]
圖1 多種形狀硅藻土的掃描電鏡照片[19]硅藻土的主要成分為非晶態(tài)二氧化硅。經(jīng)X射線(xiàn)衍射分析(XRD)測(cè)試,在2θ為15~40°范圍內(nèi),硅藻土有一個(gè)“饅頭峰”,這是硅藻土內(nèi)非晶態(tài)SiO2的彌散峰;在2θ為26.6°的尖峰對(duì)應(yīng)于硅藻土內(nèi)石英的(101)晶面。硅藻土內(nèi)含豐富的SiO2,是一種廉價(jià)的硅源。由傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜(FT-IR)測(cè)試可得硅藻土內(nèi)的官能團(tuán)及成鍵情況:波數(shù)為468 cm-1和1 096 cm-1處的峰是硅藻土內(nèi)Si-O-Si鍵不對(duì)稱(chēng)伸縮振動(dòng)引起的;波數(shù)為3 435 cm-1處的紅外特征峰是硅藻土內(nèi)Si-OH和吸附水導(dǎo)致的。硅藻土表面Si-OH主要分為兩種:一種是孤立的Si-OH,另一種是通過(guò)氫鍵連接的Si-OH[21],后者使硅藻土表面顯弱酸性。表面Si-OH是硅藻土表面重要的官能團(tuán),它的存在是硅藻土通過(guò)硅烷偶聯(lián)劑接枝功能有機(jī)物實(shí)現(xiàn)硅藻土功能化的關(guān)鍵。硅藻土經(jīng)擦洗提純后表面具有相對(duì)有序的孔道結(jié)構(gòu),其比表面積約為28 m2/g。經(jīng)Zeta電位測(cè)試,硅藻土在pH=3.7附近具有等電點(diǎn)。在pH>3.7時(shí),硅藻土表面帶負(fù)電荷,對(duì)于金屬陽(yáng)離子的附著、吸附具有天然優(yōu)勢(shì)。在生物相容性方面,硅藻土的粒度和形狀均與其生物相容性有關(guān)。其中,粒度較小的圓盤(pán)藻與細(xì)胞、細(xì)菌的生物相容性最好。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]γ-AlOOH/Al2O3修飾硅藻土的制備與Cs+、Pb2+吸附性能[J]. 鄭廣偉,杜玉成,侯瑞琴,孫廣兵,王金淑,吳俊書(shū). 無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2015(05)
[2]硅藻土的研究現(xiàn)狀及進(jìn)展[J]. 劉潔,趙東風(fēng). 環(huán)境科學(xué)與管理. 2009(05)
本文編號(hào):3283620
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