單層石墨烯具有較低的固有光吸收效率,且材料中含有較多的缺陷,導(dǎo)致僅依靠石墨烯本身很難制備高性能的光電器件。通過(guò)石墨烯與半導(dǎo)體材料復(fù)合形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)的方法可以克服這一瓶頸。本工作中利用石墨烯/砷化鎵高遷移率異質(zhì)晶體管結(jié)構(gòu)制備了毫米波光電探測(cè)器,有效地提升了二維電子氣特性,大幅度提高了器件在室溫條件下的毫米波響應(yīng)和探測(cè)能力。實(shí)驗(yàn)證明,400 mV的偏置電壓下,該器件在25 GHz波段的獲得了20.6 V·W^-1響應(yīng)率,響應(yīng)時(shí)間為9.8μs,噪聲等效功率為3.2×10^-10W·Hz^-1/2。在太赫茲波0.12 THz下響應(yīng)率仍然達(dá)到了4.6 V·W^-1,響應(yīng)時(shí)間為10μs,噪聲等效功率為1.4×10^-9 W·Hz^-1/2。該工作展示了石墨烯/砷化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)毫米波太赫茲探測(cè)器的巨大應(yīng)用前景。 

【文章來(lái)源】：紅外與毫米波學(xué)報(bào). 2020,39(05)北大核心EISCICSCD

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【部分圖文】：

圖６石墨烯／砷化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)探測(cè)器隨毫米波／太赫茲輻照的??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3278987