向絕緣聚合物基體中添加導(dǎo)電填料可得到聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料,這種復(fù)合材料質(zhì)輕價(jià)廉、容易加工且其導(dǎo)電性能可在較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié),在靜電消除、電磁屏蔽、傳感器和導(dǎo)電材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。用低熔點(diǎn)金屬和高熔點(diǎn)金屬作為導(dǎo)電填料填充聚合物基體,既能改善加工過程中低熔點(diǎn)金屬的析出,又能解決高含量高熔點(diǎn)金屬填充的復(fù)合材料難以混合均勻的問題。當(dāng)?shù)腿埸c(diǎn)金屬含量足夠高時(shí),低熔點(diǎn)金屬與高熔點(diǎn)金屬相互作用能夠在基體中形成物理連續(xù)的金屬網(wǎng)絡(luò),復(fù)合材料可同時(shí)具備優(yōu)異的導(dǎo)電性能、沖擊性能和加工性能。但是,已有的關(guān)于低熔點(diǎn)金屬/高熔點(diǎn)金屬/聚合物三元復(fù)合材料的研究較少,基于現(xiàn)有的認(rèn)識(shí)難以獲得此類三元復(fù)合體系的一般規(guī)律,也難以明確金屬和聚合物的性質(zhì)對(duì)此類三元復(fù)合體系的影響。此外,低熔點(diǎn)金屬/高熔點(diǎn)金屬/聚合物三元復(fù)合材料的獨(dú)特性質(zhì)也有待更深入的研究。由此可見,在低熔點(diǎn)金屬/高熔點(diǎn)金屬/聚合物三元復(fù)合體系中,仍有很多問題有待解決。本論文中采用低熔點(diǎn)金屬錫（Sn）和高熔點(diǎn)金屬（Cu）共同填充尼龍-6（Polyamide-6,PA6）基體制備Sn/Cu/PA6三元復(fù)合材料,研究了復(fù)合材料的組成、結(jié)構(gòu)及性能間的關(guān)系,并將其與傳統(tǒng)的Cu... 

【文章來源】：中國工程物理研究院北京市

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１?Ｃｕ／ＰＡ６６復(fù)合材料（ａ）和Ｖｅｓｃａ／ＶＣｕ＝３的ＥＳＣＡ／Ｃｕ／ＰＡ６６三元復(fù)合材料（ｂ）的ＳＥＭ圖??（金屬總含量為５３．３?ｖｏｌ％）??

的高熔點(diǎn)金屬可在一定程度上改善低熔點(diǎn)金屬的析出，但在較高液固比或金屬總含量下，??液態(tài)金屬仍會(huì)在復(fù)合材料熔融加工過程中分離析出。此外，這種三元復(fù)合材料的金屬相??比較粗大，如圖１．１所示。因此，需要尋求合適的方法對(duì)金屬液體和聚合物熔體進(jìn)行界??面增容，解決加工過程中液態(tài)金屬析出的問題，同時(shí)細(xì)化金屬相尺寸。??圖１．１?Ｃｕ／ＰＡ６６復(fù)合材料（ａ）和Ｖｅｓｃａ／ＶＣｕ＝３的ＥＳＣＡ／Ｃｕ／ＰＡ６６三元復(fù)合材料（ｂ）的ＳＥＭ圖??（金屬總含量為５３．３?ｖｏｌ％）??Ｆｉｇ?１．１?ＳＥＭ?ｉｍａｇｅ?ｏｆ?ｔｈｅ?Ｃｕ／ＰＡ６６?ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ?（ａ）?ａｎｄ?ｔｈｅ?ＥＳＣＡ／Ｃｕ／ＰＡ６６?ｔｅｒｎａｒｙ?ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ?ｗｉｔｈ??Ｖｅｓｃａ／Ｖｃｕ＝３?（ｂ）?（Ｔｈｅ?ｔｏｔａｌ?ｍｅｔａｌ?ｃｏｎｔｅｎｔ?ｉｓ?５３．３?ｖｏｌ％）??７??

在金屬顆粒填充絕緣聚合物基體的二元體系中，復(fù)合材料的導(dǎo)電性能可通過接觸逾??滲模型來解釋：當(dāng)辦艮低時(shí)，Ｃｕ顆粒均勻分散于基體中且鄰近導(dǎo)電粒子間沒有接觸，如??圖２．１?（ａ）所示，復(fù)合體系電阻率反映高分子基體的電阻率，所以復(fù)合材料ｐ變化不明??顯；在導(dǎo)電逾滲轉(zhuǎn)變區(qū)內(nèi)，導(dǎo)電粒子開始互相接觸形成局部導(dǎo)電通路，隨著＿一步增??力口，導(dǎo)電通路在高分子絕緣基體中逐漸形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，復(fù)合材料的ｐ相應(yīng)地隨＾增加而急??劇下降；當(dāng)＾＞４０?ｖｏｌ％時(shí)，體系內(nèi)的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)基本形成，故填料含量的增加對(duì)材料電阻??率的貢獻(xiàn)不大［６４］。當(dāng)填料的體積分?jǐn)?shù)高于導(dǎo)電逾滲值（如）后

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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