發(fā)布時間：2021-07-07 18:42

　　SiC陶瓷及其復(fù)合材料具有高強度、高硬度、高熔點、優(yōu)異的抗輻照能力及化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點而被認為是航空航天和核工業(yè)等對材料要求極為苛刻領(lǐng)域的理想結(jié)構(gòu)材料。然而,由于陶瓷材料極大的脆性及技術(shù)和設(shè)備的限制,很難直接成型加工制備出尺寸大或形狀復(fù)雜的陶瓷部件,往往需要通過材料連接來實現(xiàn)。因此,SiC陶瓷及其復(fù)合材料連接技術(shù)是制約其工程應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。針對SiC陶瓷釬焊接頭高溫領(lǐng)域的應(yīng)用需求,本研究首先優(yōu)化了具有熔點高、高溫強度好且對SiC陶瓷潤濕性良好的Si-24Ti（wt.%）共晶合金的釬焊工藝。在此基礎(chǔ)上,通過在共晶合金中添加一定量的SiC、碳納米管（CNT）和碳化硼（B₄C）組成復(fù)合釬料并進行釬焊實驗,系統(tǒng)研究了復(fù)合釬料中陶瓷增強相的形成及分布對SiC接頭的微觀組織和力學(xué)性能的影響,闡明了陶瓷增強相對接頭的強化機制。本論文對于SiC陶瓷及其復(fù)合材料的工程應(yīng)用具有重要的實用價值和理論意義。研究取得的主要成果如下:（1）使用由Si和TiSi₂兩相組成的Si-24Ti（wt.%）共晶釬料在1360-1400℃、10-30 min實現(xiàn)了SiC陶瓷的連接... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

SiC基體材料Fig.2.1SiCceramicmatrix

圖 2.2 真空鎢絲燒結(jié)爐Fig. 2.2 Vacuum tungsten wire sintering furnace結(jié)爐發(fā)熱體是鎢絲，可以避免碳的污染，適用于、合金等在高溫真空下的物理化學(xué)性能測試。結(jié)爐主要由三個部分組成：控制柜，爐子腔體配技術(shù)精巧細致，占地面積小，操作簡單，比較適達到 2000 ℃，冷態(tài)極限真空度可達到 6.67×10-iC 陶瓷基體制備、復(fù)合釬料制備、后續(xù)的試樣測見表 2.2。制備制備 SiC 陶瓷是成正六邊形，在釬焊前需要通過金剛 15 mm×15 mm×4 mm 的試樣。之后，將切割好

圖 2.3 壓痕示意圖Fig. 2.3 The schematic diagram of indentation度測試判材料承受剪切力的能力，指的是材料承受材料呈剪切作用時的強度極限。剪切強度能試驗機加載，加載速度是 0.5 mm/min。剪m，剪切實驗示意圖如圖 2.4。利用公式 =FS切強度；剪切力；與剪切力平行的截面面積。的 SiC 釬焊接頭剪切強度需要測試四個剪

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]碳化硅陶瓷復(fù)合裝甲的制備與研究[D]. 童鶴.南京理工大學(xué) 2012
[2]TiB2陶瓷與金屬的SHS反應(yīng)焊接[D]. 何代華.武漢理工大學(xué) 2002



本文編號：3270163