為驗證氮化鋁薄膜在傳感器設(shè)計技術(shù)方面具有獨特的優(yōu)勢,以振動傳感器為例開展氮化鋁薄膜MEMS振動傳感器設(shè)計與試驗研究,通過在不同敏感位置設(shè)計制作不同的電極開展比對測試試驗研究工作。在振動臺上對設(shè)計有多種測試電極的芯片樣品進行比對標定測試,驗證了氮化鋁薄膜MEMS振動傳感器可以獲得很好的靈敏度特性和頻率響應(yīng)特性; 4個Y電極靈敏度響應(yīng)一致性很好,并可分辨出不同應(yīng)力分布區(qū)域靈敏度響應(yīng)上的差別; 4個X電極同樣獲得較好的靈敏度頻率響應(yīng),但由于電極設(shè)計與Y電極存在差異,因此響應(yīng)有所不同,X電極由于面積更小,分布電容的影響不容忽視。 

【文章來源】：傳感器與微系統(tǒng). 2020,39(12)CSCD

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

振動傳感器原理

MEMS振動傳感器敏感結(jié)構(gòu)如圖2所示。為使驗證芯片加工工藝更簡單易行，采用中間帶硬心的彈性質(zhì)量結(jié)構(gòu)，其中h為膜片厚度，m為膜片硬心的質(zhì)量;在圓形膜片應(yīng)力集中區(qū)制作氮化鋁薄膜及電極，設(shè)帶有硬心的平膜片環(huán)形電極區(qū)域外半徑為R，內(nèi)半徑為r,t為壓電元件厚度。

彈性敏感結(jié)構(gòu)模型及膜片徑向應(yīng)力分布

【參考文獻】：
期刊論文
[1]物理氣相傳輸法制備大面積AlN單晶[J]. 齊海濤,洪穎,王香泉,王利杰,張志欣,郝建民.  硅酸鹽學(xué)報. 2013(06)

博士論文
[1]物理氣相傳輸法生長氮化鋁晶體的機制研究[D]. 金雷.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2015



本文編號：3248305