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偏壓磁控濺射法制備TiN薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及其性能研究

發(fā)布時(shí)間:2021-06-23 17:21
  氮化鈦(TiN)薄膜由于其優(yōu)良的特性、廣泛的應(yīng)用,深受科研工作者的關(guān)注。近些年來(lái),科研工作者對(duì)TiN材料的織構(gòu)變化、形貌特征、宏觀性能等開(kāi)展了廣泛研究,但是對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)的深入研究卻鮮見(jiàn)報(bào)道。本論文采用磁控濺射沉積方法,在Si襯底施加不同偏壓,制備了一系列TiN薄膜,不僅系統(tǒng)研究了襯底偏壓對(duì)TiN薄膜樣品的結(jié)構(gòu)、成分、擇優(yōu)取向、表面形貌、電學(xué)和力學(xué)性能的影響,還利用球差矯正高分辨透射電鏡對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入研究,在原子尺度上探究了襯底偏壓對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響,主要研究?jī)?nèi)容及結(jié)果如下:首先,利用XRD、XPS、AFM等一系列測(cè)試手段對(duì)TiN薄膜的結(jié)構(gòu)、化學(xué)成分、性能等進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,所制備薄膜均為面心立方TiN薄膜。無(wú)襯底偏壓下制備的薄膜樣品中出現(xiàn)顯著的(111)擇優(yōu)取向,隨著偏壓的增加,薄膜擇優(yōu)取向從(111)向(220)轉(zhuǎn)變。薄膜表面粗糙度隨襯底偏壓的增加呈減小趨勢(shì),即薄膜表面越來(lái)越平整。薄膜的電阻率隨著襯底偏壓的增加而降低,-80 V偏壓下生長(zhǎng)的薄膜顯示出良好的導(dǎo)電性。在力學(xué)性能方面,薄膜的硬度和彈性模量隨偏壓增加先顯著增強(qiáng),在-60 V時(shí)達(dá)到峰值,然后稍稍下降。其次,我們對(duì)... 

【文章來(lái)源】:湖北大學(xué)湖北省

【文章頁(yè)數(shù)】:66 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

偏壓磁控濺射法制備TiN薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及其性能研究


圖1.2?TiN硬質(zhì)涂層??

形貌,柱狀晶,晶體結(jié)構(gòu),涂層


1.3.1?TiN材料的應(yīng)用簡(jiǎn)述??(1)涂層領(lǐng)域??圖1.2?TiN硬質(zhì)涂層??TiN涂層是氮化物涂層中研宄最早、市場(chǎng)份額最大的涂層之一m。廣泛應(yīng)用于各種??切削工具、軸承和模具的涂覆層,以增強(qiáng)其使用壽命,減少經(jīng)濟(jì)損耗W。圖1.2為TiN涂??2??

示意圖,阻擋層,示意圖,涂層


酸中有一定的溶解度,在熱的NaOH中能溶解產(chǎn)生NH3,具有很穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)。TiN??優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)使得其廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)制造中。??圖1.?1?(a):?TiN晶體結(jié)構(gòu);(b)?:?TiN柱狀晶截面TEM形貌??1.3?TiN材料的應(yīng)用及研究現(xiàn)狀??1.3.1?TiN材料的應(yīng)用簡(jiǎn)述??(1)涂層領(lǐng)域??圖1.2?TiN硬質(zhì)涂層??TiN涂層是氮化物涂層中研宄最早、市場(chǎng)份額最大的涂層之一m。廣泛應(yīng)用于各種??切削工具、軸承和模具的涂覆層,以增強(qiáng)其使用壽命,減少經(jīng)濟(jì)損耗W。圖1.2為TiN涂??2??

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號(hào):3245348

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