硫系相變薄膜可以在非晶與結(jié)晶態(tài)之間快速且可逆地轉(zhuǎn)變,并伴隨著電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)的顯著變化,人們利用這些性質(zhì)將其應(yīng)用在電學(xué)存儲（如相變存儲器）和光學(xué)存儲（藍(lán)光光盤、DVD和CD等）中。然而這些存儲器僅利用了非晶與立方相之間的電學(xué)/光學(xué)差異實現(xiàn)了二級存儲,難以滿足大數(shù)據(jù)時代對高密度存儲器的新要求。已有研究表明高溫退火能夠引發(fā)Ge₂Sb₂Te₅薄膜從非晶到立方再到六方相的二次相變。如果利用了非晶與立方相以及立方相與六方相之間的電學(xué)/光學(xué)差異,有望實現(xiàn)多級存儲,大幅度提高存儲密度。但仍存在以下問題:（1）對于電學(xué)存儲來說:Ge₂Sb₂Te₅薄膜在非晶、立方相和六方相時分別呈現(xiàn)高電阻、中間電阻和低電阻三個狀態(tài),但中間電阻態(tài)的溫度區(qū)間窄,電阻下降速率大,導(dǎo)致中間電阻態(tài)的控制十分困難,讀取數(shù)據(jù)的分辨率很差。（2）對于光學(xué)存儲來說:Ge₂Sb₂Te₅薄膜在非晶,立方相和六方相時分別呈現(xiàn)低反射、中間反射和高反射三... 

【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：79 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

GST薄膜隨壓強(qiáng)變化的Raman圖譜

圖 1.2 N 摻雜 GST 薄膜的 XRD 圖譜[7]2 The XRD of N-GST film annealed at different tem 純 GST 和 GSTC18%薄膜在不同退火溫度下的 XR.3 The XRD of pure and GSTC18% films annealed

純 GST 和 GSTC18%薄膜在不同退火溫度下的 XRD.3 The XRD of pure and GSTC18% films annealed atemperatures[8].8]采用射頻磁控濺射的方式在 SiO2/Si（100）襯底上制純 GST 和 C-GST 薄膜，研究了不同退火溫度對薄膜如圖 1.3 所示。研究發(fā)現(xiàn)所有薄膜的初始結(jié)構(gòu)都為非

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]非平衡磁控濺射及其應(yīng)用[J]. 董騏,范毓殿.  真空科學(xué)與技術(shù). 1996(01)



本文編號：3238814