CdS/g-C 3 N 4 和Fe@C/NMC納米催化劑的低溫合成及其性能研究
發(fā)布時間:2021-06-12 07:02
近年來納米催化劑在合成一直都是熱門的研究領(lǐng)域,合成功能型的納米催化劑這材料有助于幫助人們解決快速發(fā)展帶來的能源短缺的問題。傳統(tǒng)的納米催化劑的方法多種多樣,通過溶劑熱法、水熱法、非注射的有機合成法等技術(shù)制備出一系列的納米催化劑被大量使用于工業(yè)催化領(lǐng)域。合成優(yōu)良催化活性,選擇性的,穩(wěn)定性的納米催化劑依然是一個挑戰(zhàn)。本文從經(jīng)典成核理論出發(fā),控制反應(yīng)在超低溫度下進(jìn)行,成功的制備出了兩種的納米催化劑。具體研究成果如下:在零下60℃反應(yīng)條件下,一步法合成出硫化鎘量子點負(fù)載在氮化碳表面的納米催化劑。獲得的硫化鎘量子點直徑在5納米并且均勻的分散在氮化碳納米片上。在可見光下催化分解水產(chǎn)氫和降解有機染料羅丹明B上,有著優(yōu)良的催化活性。多次的穩(wěn)定性測試實驗證明硫化鎘量子點強有力的負(fù)載在氮化碳上,不易團(tuán)聚和流失,該復(fù)合催化劑擁有良好的穩(wěn)定性。通過控制反應(yīng)在零下60℃,制備出鐵和氮摻雜介孔碳的復(fù)合前軀體,然后產(chǎn)物經(jīng)過900℃氬氣環(huán)境下熱處理3小時,成功制備出Fe-N-C結(jié)構(gòu)的復(fù)合催化劑。獲得的Fe-N-C結(jié)構(gòu)的復(fù)合催化劑直徑在6納米并且均一分布在氮摻雜介孔碳表面,在堿性溶液中保持優(yōu)良的氧還原活性和穩(wěn)定性,且催化...
【文章來源】:上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)上海市
【文章頁數(shù)】:45 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
CdS納米顆粒負(fù)載在氮化碳納米片上的合成示意圖
的降解實驗:100mg 樣品粉末分散在 100ml 濃度為 5.0×10-5m 60 分鐘,在黑暗中攪拌 60 分鐘。用 300w 的氙燈加入濾光片用紫外可見分光光度計每隔 15 分鐘檢測一次羅丹明 B 的濃度論的透射電子顯微鏡如圖 2.2 所示,在圖 2.2a 中硫化鎘量子點均表面。從高分辨的透射電鏡圖 2.2b 和圖 2.2d 上可以得出合成nm,這與 CdS 的(111)匹配。作為對比樣,在 25℃合成的 C氮化碳納米片的表面(圖 2.2c)。而且,CdS 的納米顆粒的直大于 CdS 量子點。從 CdS/g-C3N4和 RT CdS/g-C3N4粒徑統(tǒng)計(圖溫下合成的 CdS 量子點的平均直徑在 5nm,25℃下合成的大0 到 50nm。經(jīng)過電感耦合等離子體離子發(fā)射光譜(ICP/IES)的硫化鎘量子點質(zhì)量占 4.5%。上述結(jié)果得出,低溫法成功制米上的硫化鎘量子點。
圖 2.3 CdS/g-C3N4粒徑分布圖Fig. 2.3 Size distribution of the grains of the CdS/g-C3N4圖 2.4 RT CdS/g-C3N4粒徑分布圖Fig. 2.4 Size distribution of the grains of the RT CdS/g-C3N4過 XRD,UV-vis 光譜,XPS 進(jìn)一步揭示了樣品的結(jié)構(gòu)和組成。CdS/g-C3N4和 g-C3N4的 XRD 圖如圖 2.5a 所示。兩個明顯的峰在 27.4°和 13.1°對峰(002)和(110)面。CdS 的特征峰在 26.7°,44.1°和 52.2°分別對應(yīng)和(311)晶面((JCPDS no. 75-0581)。CdS/ g-C3N4和 RT CdS/ g-C3N4的
本文編號:3226159
【文章來源】:上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)上海市
【文章頁數(shù)】:45 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
CdS納米顆粒負(fù)載在氮化碳納米片上的合成示意圖
的降解實驗:100mg 樣品粉末分散在 100ml 濃度為 5.0×10-5m 60 分鐘,在黑暗中攪拌 60 分鐘。用 300w 的氙燈加入濾光片用紫外可見分光光度計每隔 15 分鐘檢測一次羅丹明 B 的濃度論的透射電子顯微鏡如圖 2.2 所示,在圖 2.2a 中硫化鎘量子點均表面。從高分辨的透射電鏡圖 2.2b 和圖 2.2d 上可以得出合成nm,這與 CdS 的(111)匹配。作為對比樣,在 25℃合成的 C氮化碳納米片的表面(圖 2.2c)。而且,CdS 的納米顆粒的直大于 CdS 量子點。從 CdS/g-C3N4和 RT CdS/g-C3N4粒徑統(tǒng)計(圖溫下合成的 CdS 量子點的平均直徑在 5nm,25℃下合成的大0 到 50nm。經(jīng)過電感耦合等離子體離子發(fā)射光譜(ICP/IES)的硫化鎘量子點質(zhì)量占 4.5%。上述結(jié)果得出,低溫法成功制米上的硫化鎘量子點。
圖 2.3 CdS/g-C3N4粒徑分布圖Fig. 2.3 Size distribution of the grains of the CdS/g-C3N4圖 2.4 RT CdS/g-C3N4粒徑分布圖Fig. 2.4 Size distribution of the grains of the RT CdS/g-C3N4過 XRD,UV-vis 光譜,XPS 進(jìn)一步揭示了樣品的結(jié)構(gòu)和組成。CdS/g-C3N4和 g-C3N4的 XRD 圖如圖 2.5a 所示。兩個明顯的峰在 27.4°和 13.1°對峰(002)和(110)面。CdS 的特征峰在 26.7°,44.1°和 52.2°分別對應(yīng)和(311)晶面((JCPDS no. 75-0581)。CdS/ g-C3N4和 RT CdS/ g-C3N4的
本文編號:3226159
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